삼성전자, 45나노 임베디드 플래시 로직 공정 개발

스마트카드IC 테스트 칩 개발도 성공…내년 하반기 상용화

삼성전자[005930]는 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시(embeded Flash) 로직 공정과 이를 적용한 스마트카드IC 테스트 칩 개발에성공했다고 15일 밝혔다.

임베디드 플래시 로직 공정이란 시스템 반도체 회로 안에 전원이 끊겨도 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 구현한 것이고, 스마트카드IC는 신용카드나 신분증에 들어가는 정보저장장치다.

삼성전자가 이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 IC테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품과 비교했을 때 소모전력을 25% 절감했고 데이터를 읽어 오는 시간은 50%나 줄여 생산성이 높아졌다.

특히 플래시 메모리 한 셀(Cell)당 최소 100만 번 데이터 갱신이 가능해졌으며이는 업계 최고 수준이라는 게 삼성전자의 설명이다.

삼성전자는 설계·공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 테스트를거쳐 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드IC를 2014년 하반기부터 양산할 예정이다.

삼성전자 시스템LSI사업부 김태훈 상무는 "다양한 제품군에 첨단 공정을 우선적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화하겠다"고 말했다.

runran@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>