삼성전자, 고성능 '3비트 V낸드' 첫선

3비트 평면구조 낸드보다 생산성 2배·성능 2배 향상

삼성전자[005930]가 데이터 저장 효율을 크게 높일 수 있는 3비트 기술을 적용한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 ཛྷ단 3비트V낸드'를 처음 선보였다.

6일 업계에 따르면 삼성전자는 5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리 서밋 2014' 행사에서 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시제품보다 생산 효율이 2배 높은 3비트 V낸드 제품을 공개했다.

트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀하나에 3비트의 데이터를 저장해, 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장효율이 2∼3배 뛰어나다.

이 같은 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시 제품에만 적용됐으며, 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 처음이다.

특히 이번에 개발한 3비트 V낸드는 셀 적층 수도 32단으로 현재 주를 이루는 24단 적층구조 V낸드보다 집적도가 30% 이상 높다.

이에 따라 3비트 V낸드는 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시보다 생산성이 높을뿐 아니라 성능(처리속도)도 2배 가까이 향상시키고 전력 소모량은 40%가량 절감할수 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세공정의 한계를극복한 3차원 수직구조 낸드플래시(V낸드)를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다.

이어 올 5월 적층구조를 개선한 2세대 ཛྷ단 V낸드' 양산에 들어갔으며, 이번에ཛྷ단 3비트 V낸드'까지 개발함에 따라 낸드플래시 분야에서 독주체제를 강화할 것으로 예상된다.

abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>