삼성전자, '20나노 8기가 DDR4 서버 D램' 첫 양산

DDR3 대비 처리속도 30% 향상·전력효율 개선

삼성전자[005930]가 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 8Gb(기가비트) DDR4 서버용 D램을 세계 최초로 양산한다고 21일 밝혔다.

20나노 8Gb DDR4 D램 기반의 서버용 모듈은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30%빠른 2천400Mbps의 데이터 처리속도를 구현하며, 동작 전압은 1.2V로 DDR3의 1.5볼트보다 낮아 전력 소모가 적다.

DDR(double data rate)는 D램 반도체의 동작속도 규격으로, DDR1에서 DDR4로 진화하면서 단계마다 데이터 처리 속도는 2배씩 빨라지고 전력 효율은 높아졌다.

아울러 기존 4Gb D램은 64GB(기가바이트) 모듈까지 만들 수 있으나, 8Gb D램은실리콘관통전극(TSV)이라는 첨단 패키징 기술을 접목해 모듈 용량을 최대 128GB까지늘릴 수 있다.

20나노 8Gb DDR4 D램은 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을주도할 차세대 제품으로 꼽히며, 올 하반기 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산에 들어갔다.

현재 유일하게 20나노 D램 제품을 양산하는 삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산을 시작했으며, 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에까지 20나노 공정을 적용했다.

삼성전자는 앞으로 PC용은 생산 효율이 높은 4Gb, 모바일용은 패키지 크기를 줄일 수 있는 6Gb, 서버용은 고용량의 8Gb로 응용처에 최적화된 다양한 D램 제품을 생산할 계획이라고 밝혔다.

abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>