삼성전자 "하반기 되면 20나노가 대표 D램 공정될 듯"

삼성전자[005930]는 하반기에 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ) 공정이 대표 D램 공정으로 자리잡을 것이라고 전망했다.

삼성전자 메모리반도체사업부 백지호 전무는 29일 4분기 결산실적 콘퍼런스콜에서 이같이 말했다.

20나노 공정은 삼성전자의 기존 주력 25나노 공정에 비해 30% 이상, 경쟁사들의주력인 29나노에 비해서는 50% 이상 생산성을 높일 수 있다.

이는 300㎜의 웨이퍼로 한번에 생산할 수 있는 칩 수를 30%, 50% 더 늘릴 수 있다는 의미다.

삼성전자는 20나노 공정을 PC와 모바일 D램 이어 서버 D램으로 순차적으로 확대적용해왔다.

runran@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>