삼성 '최대용량·초절전' 128GB 서버용 D램 모듈 양산

TSV 기술 적용해 서버·데이터센터 시장 공략

삼성전자[005930]는 세계 최초로 3차원 TSV(Through Silicon Via·실리콘관통전극) 적층 기술을 적용, 최대 용량과 초절전 특성을동시에 구현한 128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈 양산에 들어갔다고 26일밝혔다.

TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

기존 와이어(금선)를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에구현할 수 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 양산에 성공하면서 3차원 D램 시장을 열었다.

이번에 내놓은 128GB TSV D램 모듈은 최대 용량, 초고속, 초절전, 고신뢰성 등을 요구하는 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터 센터를 겨냥한 제품이다.

삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로구성했는데 외관상으로는 각 칩을 TSV 적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.

64GB D램 모듈에 비해 용량 뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2천400Mbps(최대3,200Mbps까지 가능)를 구현했고 소비전력량은 50% 줄였다.

삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 양산에 들어가 'TSV 풀라인업'을 완성할 계획이다.

pdhis959@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>