삼성전자 김기남 사장 "10나노 초반 D램 개발도 무난"

삼성전자[005930]가 10나노급 D램 양산에 성공한 데 이어 10나노 초반대의 D램 개발에도 자신감을 보였다.

김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장은 6일 서울 삼성 서초사옥에서 열린 수요 사장단회의에 참석하기 전 기자들과 만나 "10나노 초반대 D램 개발도 무난하겠느냐"는 물음에 "그렇다"고 답했다.

삼성전자는 2월부터 세계 최초 크기의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 양산했다고 전날 밝혔다. 반도체 미세 기술의 한계로 여겨지던 ཆ나노 시대'로 진입한것이다.

김 사장은 이전에도 수차례 '반도체 기술의 한계는 없다'고 강조한 바 있다.

한국반도체산업협회장을 맡았던 그는 지난달 퇴임사에서 "2년 전 '반도체 기술의 한계는 없다. 다만 솔루션을 찾는 데 시간이 걸릴 뿐'이라는 말을 했는데 여전히그 생각에는 변함이 없다"며 "단지 우리가 해결책을 찾지 못했을 뿐"이라고 말했다.

지난해 2월에는 미국 샌프란시스코에서 열린 반도체 기술 관련 학술대회 ISSCC에 참석, 기조연설을 통해 "반도체 미세화 기술의 한계는 없다"며 "실리콘 반도체기술의 혁신은 계속 이어져 미래에도 반도체 산업에 더 많은 기회가 만들어질 것"이라고 밝혔다.

1나노미터(nm)는 10억분의 1m로 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로 쓰인다.

숫자가 작을수록 속도는 빨라지고 소비전력은 줄어든다.

SK하이닉스[000660]는 작년 10월부터 20나노 초반대(2z급) D램을 양산하고 있다. 미국의 마이크론은 20나노 초반대 공정으로 아직 완전히 넘어오지 못한 상황이다.

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