삼성전자는 인공지능(AI)과 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)용 데이터 분석에 활용할 수 있는 초고속 D램 반도체 ‘플래시볼트’(사진)를 출시했다고 4일 발표했다. 플래시볼트는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 고대역폭 메모리(HBM2E) D램으로 기존 2세대보다 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다.
삼성전자가 2세대 8GB HBM2 D램 ‘아쿠아볼트’를 세계 최초로 개발해 양산한 지 2년 만에 3세대 제품인 플래시볼트를 출시하면서 차세대 프리미엄 메모리 시장 선점에 나섰다는 관측이 나온다.
플래시볼트는 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩(10나노급) 8개를 쌓아 16GB 용량을 구현한 것이 특징이다. 16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만 개가 넘는 TSV(실리콘 관통 전극) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계 기술’을 적용했다. 이 제품은 ‘신호전송 최적화 회로 설계’를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2Gb의 속도로 410GB의 데이터를 처리한다. 풀HD급 영화 82편(410GB)을 1초에 전달할 수 있는 수준이다. 이 제품은 또 세계 최초로 초당 4.2Gb까지 데이터 전달 속도를 확보해 향후 538GB를 1초에 처리할 수 있을 것으로 전망된다.
김보형 기자 kph21c@hankyung.com
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