예스티는 자회사인 예스파워테크닉스가 한국전기연구원과 'SiC(Silicon Carbide, 탄화규소) 트렌치 모스펫(MOSFET)' 기술에 대한 총 20억원의 기술이전 계약을 체결했다고 21일 밝혔다.
예스파워테크닉스가 이전받는 SiC 트렌치 모스펫 기술은 최근 한국전기연구원이 개발했다. 이로써 우리나라는 일본과 독일에 이어 3번째로 해당 기술 개발에 성공했다.
SiC 트렌치 모스펫 기술은 웨이퍼에 좁고 깊은 골(트렌치)을 만들어, 이 골의 벽면을 따라 수직 방향으로 '채널'이라는 전류 경로를 배열한 것이다. 현재 수평으로 채널을 배열하는 소자와는 달리, 채널을 수직으로 세운 만큼 채널이 차지하는 면적이 절약돼, 전력 소자의 면적을 줄일 수 있다.
정은식 예스파워테크닉스 부사장은 "해당 기술이 SiC반도체에 적용된다면 웨이퍼당 더 많은 칩을 만들 수 있어 소자 가격을 그만큼 낮출 수 있고, 궁극적으로는 전기차의 가격 인하 효과로 이어질 것"이라고 말했다.
이어 "전기차 시장 확대에 따른 SiC 전력반도체의 공급 능력이 수요에 한참 못 미친다는 건 업계의 공공연한 비밀"이라며 "SiC 트렌치 모스펫 기술이전을 발판삼아 전기차와 가전기기의 핵심부품 공급처로서 시장을 선도해나가겠다"고 덧붙였다.
고은빛 한경닷컴 기자 silverlight@hankyung.com
예스파워테크닉스가 이전받는 SiC 트렌치 모스펫 기술은 최근 한국전기연구원이 개발했다. 이로써 우리나라는 일본과 독일에 이어 3번째로 해당 기술 개발에 성공했다.
SiC 트렌치 모스펫 기술은 웨이퍼에 좁고 깊은 골(트렌치)을 만들어, 이 골의 벽면을 따라 수직 방향으로 '채널'이라는 전류 경로를 배열한 것이다. 현재 수평으로 채널을 배열하는 소자와는 달리, 채널을 수직으로 세운 만큼 채널이 차지하는 면적이 절약돼, 전력 소자의 면적을 줄일 수 있다.
정은식 예스파워테크닉스 부사장은 "해당 기술이 SiC반도체에 적용된다면 웨이퍼당 더 많은 칩을 만들 수 있어 소자 가격을 그만큼 낮출 수 있고, 궁극적으로는 전기차의 가격 인하 효과로 이어질 것"이라고 말했다.
이어 "전기차 시장 확대에 따른 SiC 전력반도체의 공급 능력이 수요에 한참 못 미친다는 건 업계의 공공연한 비밀"이라며 "SiC 트렌치 모스펫 기술이전을 발판삼아 전기차와 가전기기의 핵심부품 공급처로서 시장을 선도해나가겠다"고 덧붙였다.
고은빛 한경닷컴 기자 silverlight@hankyung.com
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