美, 2030년까지 반도체 클러스터 최소 2곳 더

미국이 반도체지원법을 활용해 7년 안에 첨단 반도체 제조 클러스터를 최소 두 곳 조성하겠다는 구상을 발표했다.

지나 러몬도 미국 상무장관은 23일(현지시간) 반도체 제조 및 조립, 연구개발(R&D), 부품 공급 등을 아우르는 반도체 제조 클러스터를 2030년까지 두 곳 이상 만드는 걸 목표로 하고 있다고 밝혔다. 월스트리트저널(WSJ)은 대상지로 반도체 기업들의 투자가 늘고 있는 애리조나주, 오하이오주, 텍사스주 등이 유력하다고 보도했다.

삼성전자는 텍사스주 테일러에 173억달러를 투자해 최첨단 파운드리(반도체 수탁생산) 공장을 짓고 있다. 미국 인텔은 애리조나주 챈들러와 오하이오주 뉴올버니에 각각 200억달러를, 세계 1위 파운드리 기업인 대만 TSMC는 애리조나주 피닉스에 400억달러를 투자할 계획이다. 마이크론테크놀로지와 텍사스인스트루먼츠도 투자 계획을 공개했다. 미국반도체산업협회(SIA)에 따르면 미국에서 반도체 생산 등과 관련해 지금까지 발표된 투자 규모는 2000억달러(약 260조원)에 이른다. 반도체 보조금을 더 많이 받아내기 위한 기업 간 경쟁은 치열할 전망이다.

러몬도 장관은 “모든 최첨단 반도체 기업이 R&D와 대량생산을 진행하는 세계 유일의 국가가 미국이 되길 바란다”고 강조했다.

이고운 기자 ccat@hankyung.com