KAIST 이효선씨, 한국인 첫 '호프만 장학상' 수상

입력 2016-11-15 10:12  

KAIST(한국과학기술원)는 EEWS 대학원 이효선박사과정 학생이 '제63회 미국진공학회'에서 한국인으로는 처음으로 '호프만 장학상'(Dorothy M, and Earl S.Hoffman Scholarship Award)을 수상했다고 15일 밝혔다.

1954년 설립된 미국진공학회(AVS)는 화학·물리·생물학 등 다양한 분야 전문가가 모여 나노과학, 표면과학 발전을 꾀하기 위한 학회로, 지난 6∼11일 미국 내슈빌에서 열린 이 학회에는 세계 각국에서 4천500여명의 회원이 참석했다.

호프만 장학상은 전 미국진공학회장이었던 도로시 M. 호프만 학자의 후원으로 2002년 제정된 상으로, 학회에 참석한 대학원생 가운데 최고 수준의 연구결과를 보인2명을 선정해 시상한다.

이 씨는 '나노디바이스를 이용한 표면촉매반응에서의 핫전자 검출'이라는 주제의 연구를 통해 호프만 장학상을 받았다. 미국 대학 출신이 아닌 학생이 상을 받은것은 처음이다.

이 씨의 연구는 촉매활성도에 영향을 미치는 핫전자를 새로운 나노디바이스를이용해 정량적으로 분석하는 기술로, 관련 연구 결과가 권위 있는 국제 학술지 '나노레터스'와 '앙케반테 케미'에 실리기도 했다.

jyoung@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>

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