삼성전자는 9일 중국 산시성 시안시에서 ‘시안 메모리 반도체 공장’ 준공식을 갖고 제품생산에 들어갔다고 밝혔습니다.
삼성전자가 해외에 반도체 생산라인을 지은 것은 미국 텍사스주 오스틴에 지은 웨이퍼 생산라인에 이어 두번째입니다.
이날 준공된 시안 반도체 공장은 약 38만 ㎡ 부지에 연면적 23만㎡ 생산라인을 갖췄습니다.
삼성전자는 이곳에서 10나노급 수직구조 낸드플래시 메모리를 생산할 계획입니다.
10나노급 낸드 플래시는 스마트폰 등 각종 스마트 기기, 태블릿PC 등에 사용되는 반도체로, 중국 수요가 전 세계에서 50%를 차지하고 있습니다.
삼성전자는 연말까지 반도체 테스트와 패키징을 포함한 후공정 라인을 완공해 일괄 생산체제를 완성할 계획입니다.
이날 열린 준공식에는 산시성 성위서기 자오쩡융, 산시성 성장 러우친젠, 공신부 부장 먀오웨이, 국가발개위 부주임 쉬셴핑, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사, 권오현 부회장 등 삼성전자 경영진이 참석했습니다.
권오현 삼성전자 부회장은 기념사를 통해 “과거 시안에서 출발한 실크로드가 동서양 문명 교류의 핵심 역할을 했던 것처럼 한국과 중국의 협력으로 탄생한 이 곳 시안 반도체 공장이 ‘21세기 디지털 실크로드’의 출발점이 되기를 희망한다”고 말했습니다.
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