삼성전자가 세계에서 처음으로 20나노미터(nm) 공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램을 양산합니다.
1기가바이트(GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대용량인 4GB를 구성할 수 있는 20나노 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 기존 LPDDR3 제품보다 데이터 처리속도가 2배 가량 빠르면서도 최대 40% 이상 소비전력을 줄일 수 있다고 삼성전자는 설명했습니다.
이어 독자적으로 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술이 적용돼 일반 PC에 들어가는 D램보다 데이터 처리속도가 2배 빠른 3천200Mb/s로 UHD급 동영상 촬영과 2천만 화소 이상 초고화질 사진 연속촬영도 가능하다고 밝혔습니다.
삼성전자는 또 이번 제품이 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 `세계가전박람회(CES)`에서 혁신상을 받는다며 모바일 D램 분야에서 3년 연속 혁신상을 받게 됐다고 전했습니다.
이와 함께 삼성전자는 20나노 D램의 생산비중을 앞으로 더욱 높여나갈 계획이라고 덧붙였습니다.
1기가바이트(GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대용량인 4GB를 구성할 수 있는 20나노 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 기존 LPDDR3 제품보다 데이터 처리속도가 2배 가량 빠르면서도 최대 40% 이상 소비전력을 줄일 수 있다고 삼성전자는 설명했습니다.
이어 독자적으로 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술이 적용돼 일반 PC에 들어가는 D램보다 데이터 처리속도가 2배 빠른 3천200Mb/s로 UHD급 동영상 촬영과 2천만 화소 이상 초고화질 사진 연속촬영도 가능하다고 밝혔습니다.
삼성전자는 또 이번 제품이 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 `세계가전박람회(CES)`에서 혁신상을 받는다며 모바일 D램 분야에서 3년 연속 혁신상을 받게 됐다고 전했습니다.
이와 함께 삼성전자는 20나노 D램의 생산비중을 앞으로 더욱 높여나갈 계획이라고 덧붙였습니다.
관련뉴스
