삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 `256기가비트 3차원 V낸드` 양산에 성공했습니다.
이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 `3차원 셀(Cell)`을 기존보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 `3세대(48단) V낸드 기술`이 적용된 업계 최대 용량의 메모리 칩입니다.
`256기가비트 V낸드`는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB)용량의 메모리카드를 만들 수 있습니다.
특히 `3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조`와 `48단 수직 적층 공정`, `3비트 저장기술`을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하는 것은 물론 소비 전력량도 30% 이상 줄였습니다.
또 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40% 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했습니다.
삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 `테라 SSD 대중화`를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정입니다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것"이라고 말했습니다.
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