삼성전자가 지난해 10월 `128기가바이트 DDR4 D램 모듈`을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 `2세대 HBM D램` 양산에 성공했습니다.
삼성전자는 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 `4GB HBM2(고대역폭 메모리) D램`을 본격 양산한다고 19일 밝혔습니다.
HBM2 D램은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용해 칩에 5천개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 제품입니다. 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖췄고 `초절전, 초슬림, 고신뢰성`까지 구현했습니다.
TSV기술을 적용한 적층 형태로 차지하는 면적도 작습니다. 그래픽카드 등에 탑재될 경우 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있습니다.
이에 따라 HBM2 D램은 향후 차세대 그래픽처리장치(GPU), 수퍼컴퓨터, 서버, 네트워크 기기에 탑재될 전망입니다.
전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC(초고성능 컴퓨팅 시스템)를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다"며, "향후에도 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것"이라고 강조했습니다.
삼성전자는 올 상반기에 용량을 2배 올린 `8기가바이트 HBM2 D램`도 양산할 계획입니다. 더불어 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM시장을 지속 선점하고, 네트워크, 서버 등 새로운 프리미엄 메모리 시장 성장세를 주도한다는 전략입니다.
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