박성욱 SK하이닉스 사장이 "갈수록 어려워지는 메모리 반도체 시장에서 선도적 기술개발을 통해 위기를 극복해나가겠다"고 밝혔습니다.
올해 주요 경영 목표로 10나노급 D램 공정 개발과, 3D 낸드플래시 차세대 메모리 사업 고도화를 목표로 내걸었습니다.
박성욱 사장은 신년사에서 "경쟁이 심화되는 메모리 반도체 시장에서 선두업체로서의 지위를 공고히 하기 위해 선도적 기술개발이 중요하다"며 "D램에서는 20나노 초반급(2znm) 제품 생산 비중 확대로 수익성을 강화하는 한편 10나노급(1xnm) 제품 개발을 완료할 것"이라고 말했습니다.
낸드 역시 2D 구조의 14나노 제품 개발과 3D 48단의 본격 양산을 통해 낸드 시장의 선두업체로 발돋움할 수 있는 기회로 삼을 것이라고 밝혔습니다.
이어 "현재 M14 팹(FAB·실리콘웨이퍼 제조공장)의 1단계 장비 반입을 완료하고 2z나노 제품 양산에 전력을 다하고 있다"며 "아울러 2단계 공사를 위해 클린룸과 전력, 환경 등 기반 시설을 구축해 나감과 동시에 청주 신규 공장 부지 매입과 올해동안 이천 신규공장 부지 정비도 병행할 것"이라고 설명했습니다.
박 사장은 올해 메모리반도체 시장을 둘러싼 환경이 녹록치 않음을 인정하면서도 임직원들이 치열함과 혁신으로 위기에 맞서 나갈 것을 당부했습니다.
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