삼성전자, 반도체 '초격차'…"'업계 최초' D램에 EUV 적용"

삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급했다고 25일 밝혔다.

메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 `EUV 공정`을 전면 적용한 것이다.

삼성전자는 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다고 자평했다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이면서 정확도를 높여 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 `4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술`을 개발하고 있다.

향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높였다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산한다는 계획이다.

아울러 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.

이어 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것이다"고 강조했다.

한편 삼성전자는 내년부터 DDR5 및 LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화한다.

아울러 업체간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높인다는 설명이다.

삼성전자는 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 방침이다.