삼성전자가 내년 상반기, 차세대 반도체 기술인 GAA(게이트 올 어라운드)를 적용한 3나노 반도체를 양산하겠다고 밝혔다.
삼성전자 최시영 파운드리사업부 사장은 6일 오전10시(한국시간 7일 오전 2시)미국 현지에서 온라인으로 열린 `삼성 파운드리 포럼 2021`에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것이다"며 이 같이 밝혔다.
또, 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산 계획을 밝히며 차세대 트랜지스터 기술 선점에 대한 자신감도 드러냈다.
삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반의 5나노 공정 보다 성능은 30% 향상되고 전력소모는 50%, 면적은 35% 줄어들 것으로 예상된다.
삼성전자는 이번 포럼에서 핀펫 기반 17나노 신공정도 발표했다.
17나노 공정은 28나노 공정보다 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되고 면적은 43%가 줄어들 것으로 예상된다.
최시영 사장은 "코로나19이후 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 시점에서, 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것이다"고 밝혔다.
이번 `삼성 파운드리 포럼 2021`은 역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2000명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 참여하는 등 높은 관심을 끌었다.
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