삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 오늘(27일) 산업기술보호법 위반과 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 삼성전자 전직 임원 최 모 씨와 삼성전자 전 수석 연구원 오 모 씨를 구속기소 했다고 밝혔다.
이들은 지난 2014년 20나노급 반도체를 생산하는 데 필요한 온도·압력 등 600여 단계 공정에 관한 핵심 정보가 담긴 자료를 중국 반도체 제조업체 '청두가오전(CHJS)'에 유출한 혐의를 받고 있다.
특히 최 씨의 경우 국내 반도체 제조분야 최고 전문가로, 삼성전자와 SK하이닉스에서 약 30년 동안 근무했던 것으로 알려졌다.
검찰에 따르면 이들은 "삼성전자가 개발비 4조 원을 투입한 국가핵심기술을 부정적으로 사용했다"며 "글로벌 반도체회사들도 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정 기술을 불과 1년 6개월 만에 개발했다"고 설명했다.
그러면서 "중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했고 최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.
아울러 검찰은 추가 수사를 통해 최 씨가 가 중국 반도체회사 지분 약 860억 원을 받고 보수 명목으로 18억 원의 범죄수익을 취득한 사실을 파악하고 이들이 설립한 중국 반도체회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 확인, 반도체회사도 추가 기소했다고 설명했다.
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