삼성전자 1분기 시설투자 9조8천억원…연내 더 늘린다(종합)

삼성전자 1분기 시설투자 9조8천억원…연내 더 늘린다(종합)

"7나노 공정, 2018년 초도물량 생산하고 2019년 본격 양산"

(서울=연합뉴스) 고웅석 김연숙 기자 = 삼성전자[005930]는 올해 시설투자 규모가 작년보다 대폭 증가할 것이라고 27일 밝혔다.

삼성전자 이명진 IR 전무는 이날 1분기 실적발표 후 열린 콘퍼런스콜에서 "올해 시설투자 계획은 아직 확정되지 않았지만, '3D(3차원) V-낸드(NAND)', 시스템LSI(대규모 집적회로), OLED(유기발광다이오드) 등을 중심으로 전년 대비 대폭 증가할 것으로 예상한다"고 말했다.

삼성전자는 1분기에 시설투자로 9조8천억원을 집행했다. 이 중 반도체와 디스플레이가 각각 5조원, 4조2천억원 수준이었다.

삼성전자는 콘퍼런스콜에서 신축 중인 평택 공장이 예정대로 올해 중반부터 가동된다고 전하면서 중장기적으로 서버용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장의 늘어나는 수요를 고려해 점진적으로 3D V-낸드 생산체제로 전환할 예정이라고 밝혔다.

또 10나노(나노미터·nm·10억분의 1m) 2세대 공정과 관련한 반도체 수탁생산 수요 증가에 대비해 화성 공장의 S3 라인에 장비를 증설해 안정적인 양산 체제를 갖출 방침이라고 강조했다.

삼성전자는 이어 "7나노 공정 양산계획은 예정대로 진행 중"이라며 "2018년 초도 물량을 생산하고 2019년에 본격적으로 양산할 것"이라고 전했다.

현재 64단 V-낸드의 뒤를 이을 차세대 제품 개발에 대해서는 "5세대 V-낸드는 개발 중인 제품으로, 구체적인 내용은 말하기 어렵다"며 "(5세대 제품도) 계획대로 개발을 진행해 이전세대 제품과 같이 기술 리더십을 강화해 나갈 계획"이라고 말했다.

삼성전자는 "중국 반도체 업체가 생산 능력을 키우기 위해 엄청난 투자를 하는 건 사실이나 미세공정과 고부가 솔루션의 기술 장벽은 높은 편"이라며 "중국이 많은 인력을 삼성전자와 마이크론 쪽에서 스카우트한다는 풍문이 있는데 직접 언급하긴 어렵고 인력 보호에 최선을 다하고 있다"고 설명했다.


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