(서울=연합뉴스) 전명훈 기자 = 무선 통신장비용 반도체 생산업체 알에프에이치아이씨(RFHIC)가 다음 달 엔에이치스팩8호와 합병 상장 방식으로 코스닥시장에 입성한다.
이 회사는 21일 여의도에서 기업공개(IPO) 기자간담회를 열고 이런 상장 계획을 밝혔다.
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RFHIC와 엔에이치스팩8호[218410]의 합병 비율은 1대 8.718이다. 합병 가액은 엔에이치스팩8호 2천원, RFHIC가 1만7천476원이다.
이 회사는 지난달 14일 주주총회에서 합병 승인이 이뤄져 다음 달 1일 상장한다.
합병 후 발행 주식 수는 1억941만 주로 집계됐으며 시가총액은 2천억원 수준이 될 전망이다.
1999년 설립된 RFHIC는 무선통신, 방위산업 등에 쓰이는 질화갈륨(GaN) 트랜지스터와 GaN 전력증폭기를 생산·판매하는 국내에서 유일한 업체다.
GaN 소재 트랜지스터·전력증폭기는 고주파수대역에서도 성능이 떨어지지 않는 특성이 있지만, 상대적으로 가격이 비싸 과거에는 인공위성이나 방위산업 등 제한된 용도로만 사용됐다.
그러나 앞으로 3㎓를 훌쩍 뛰어넘는 고주파 대역을 활용하는 5G 통신 등이 상용화하면 GaN 소재 부품 수요가 폭발적으로 증가할 것으로 회사 측은 기대하고 있다.
RFHIC는 삼성전자, 화웨이, 노키아 등 글로벌 통신 기업에 제품을 공급하고 있다. 특히 세계 1위 통산장비업체인 화웨이에 공급하는 매출이 2015년 122억원에서 작년 327억원으로 급증했다고 회사 측은 설명했다.
작년 매출액은 612억원으로 전년보다 23%, 영업이익은 55억원으로 83% 각각 증가하는 등 빠른 성장세를 보이고 있다.
나승두 SK증권 연구원은 "기존 실리콘 소재 트랜지스터는 3㎓ 이상의 고주파수 대역에서 잡음이 발생하는 등 성능이 저하된다"며 "5G는 3∼28㎓ 이상의 고주파수 대역을 사용할 것이 확실시되는 만큼 5G 상용화가 예상되는 2020년까지 GaN 소재 부품 수요 급증이 예상된다"고 설명했다.
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