(서울=연합뉴스) 정성호 기자 = 일본 낸드플래시 업체 도시바 인수에 4조원을 투자하기로 한 SK하이닉스가 낸드 분야 연구개발(R&D)센터 건립에 2천억원 이상을 투자하기로 했다.
메모리 반도체의 슈퍼 사이클(장기 호황)을 기반으로 가파른 성장이 예상되는 낸드플래시에 대한 투자의 고삐를 죄고 있는 것으로 풀이된다.
SK하이닉스는 28일 "반도체 기술 역량 극대화를 위해 2천억원 이상을 투자해 경기 이천캠퍼스에 연구개발센터를 건설한다"고 밝혔다.
10월 착공에 들어갈 이 연구개발센터는 지상 15층, 지하 5층에 연면적 약 9만㎡ 규모로 조성된다. 이천캠퍼스 M14 공장 옆 부지에 들어서 4천여명 이상의 인력을 수용하게 된다.
2019년 9월 연구개발센터가 완공되면, 지금까지 이천캠퍼스 내 여러 건물에 분산돼 있던 미래기술연구원(미래 선행기술 연구)과 낸드 개발사업부문의 인력들이 한 공간에 모이게 된다.
또 D램 개발사업부문 등이 입주한 SUPEX센터와 R3 건물에도 인접해 통합 연구개발 허브를 이룰 것으로 SK하이닉스는 보고 있다.
SK하이닉스 관계자는 "R&D 부문 간, R&D과 생산 현장 간 소통과 협업을 강화해 시너지를 극대화하고, 더 효율적인 연구개발이 가능해질 것으로 기대하다"고 말했다.
SK하이닉스는 특히 세계 최고 수준의 반도체 기술 역량을 더 강화하기 위해 올 한 해 1천명 이상을 채용할 계획이다.
연구개발 인력도 지속적으로 확대할 계획인데 이번 R&D센터 설립은 추가적인 근무공간 확보를 염두에 둔 것이기도 하다.
특히 반도체 기술의 개발 난도가 높아져 연구개발 역량의 중요성이 갈수록 커지는 만큼, 통합 연구개발센터를 차세대 핵심 연구거점으로 삼아 미래에 대비한다는 방침이다.
SK하이닉스는 연구개발 투자를 꾸준히 강화하는 중이다. 2012년 SK그룹에 편입된 후 8천억원이던 R&D 투자액은 지난해 2조1천억원으로 늘었다.
이는 지난해 매출액의 12.2%에 해당하는 것이자, 처음으로 연구개발비가 2조원을 넘긴 것이기도 하다.
올해에도 상반기에만 1조1천억원 이상의 연구개발비가 집행돼 다시 한 번 사상 최대 규모의 연구개발비 투자가 이뤄질 전망이다.
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