(서울=연합뉴스) 김기훈 기자 = SK하이닉스[000660]는 기술혁신에 기여한 특허를 발명한 자사 구성원을 대상으로 혁신특허포상을 수여했다고 8일 밝혔다.
최고상인 금상은 내부 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 D램을 개발한 신범주 TL이 받았다. 또 D램 내부 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 미래기술연구원 황선환 TL, 장세억 SKHU 교수도 금상 수상자로 선정됐다.
SK하이닉스는 이밖에 낸드, 솔루션, 패키지 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 이를 발명한 구성원 19명에게 상패와 총상금 2억1천500만원을 수여했다.
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