美보조금 받으며 中서 5%이상 증산 불가…기술업그레이드는 가능(종합)
美, 반도체법 對中투자제한규정 공개…삼성·SK, '차이나 리스크' 줄어
범용반도체는 10% 이내 증산 허용…中기업과 연구개발·기술라이선싱 금지
(워싱턴=연합뉴스) 강병철 김동현 특파원 = 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 반도체 지원법(CHIPS Act)에서 규정한 투자 보조금을 받으면 이후 10년간 중국에서 반도체 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 된다.
다만 기술 개발을 통해 한 웨이퍼당 생산 규모를 늘리는 것은 생산 능력으로 보지 않겠다고 하면서 기술적 업그레이드에 대해서는 규제하지 않기로 했다.
미국 정부는 그러나 화웨이 등 중국 업체와의 공동 연구 개발 금지 방침도 재확인했다.
미국 상무부는 21일(현지시간) 미국 반도체법 지원금이 국가안보를 저해하는 용도로 사용되지 않도록 설정한 가드레일(안전장치) 조항의 세부 규정안을 관보 등을 통해 공개했다.
반도체법은 중국이 간접적인 혜택을 입는 것을 막기 위해 보조금을 받은 기업이 이후 10년간 중국 등 우려 국가에서 반도체 생산능력을 '실질적으로 확장'(material expansion)하는 중대한 거래를 할 경우 보조금 전액을 반환해야 한다고 규정했다.
상무부는 이날 공개한 규정안에서 '실질적인 확장'을 양적인 생산능력 확대로 규정했다.
또 상무부는 '중대한 거래 규모'를 10만 달러(약 1억3천만원)로 정의했다.이 금액을 넘어설 경우 첨단 반도체의 경우 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 하고, 이전 세대의 범용(legacy) 반도체는 생산능력을 10% 이상 늘리지 못하게 했다.
상무부는 범용 반도체 기준으로 ▲ 로직 반도체는 28nm(나노미터·10억분의 1m) ▲ D램은 18나노미터 ▲ 낸드플래시는 128단으로 정의했다.
이보다 높은 수준의 반도체를 생산할 경우 새로운 시설의 건설, 새 반도체 제조 능력추가 등을 통해 5% 이상 생산능력을 늘리지 못한다.
지난해 10월에 상무부가 발표한 대중국 수출통제 조치와 비교해 로직 반도체(14nm)의 경우 기준이 크게 강화됐으나 한국 기업과 관련된 D램이나 낸드 플래시의 경우에는 같은 기준이 적용됐다.
현재 삼성전자와 SK하이닉스는 현재 중국에서 비교적 첨단 반도체를 생산하고 있는 것으로 알려졌으며 미국 정부의 보조금을 받을 경우 기술적 수준에 따라 5~10% 생산시설 확장 제한 조치를 받게 된다.
다만 상무부는 일정 수준 이상의 반도체 생산 능력 증대를 금지하는 것과 관련, "전체적인 생산 능력이 (기준 이상으로) 증가하지 않는 한 보조금을 받은 업체가 기술적인 업그레이드를 통해서 계속 경쟁력을 유지하고 활동하는 것을 허락한다는 의미"라고 설명했다.
이는 가령 기술 개발을 통해 웨이퍼 한 장을 통해 생산하는 반도체가 늘어나는 것은 생산 능력 증대로 보지 않겠다는 뜻이다.
이와 관련, 상무부는 반도체 생산 능력의 구체 기준을 반도체 제조 시설의 경우 월별 웨이퍼 수, 반도체 패키지 시설의 경우 월별 패키지 수로 정의했다.
앞서 한국 기업은 그동안 반도체 지원법상의 '실질적 확장'이라는 용어에 기술적 업그레이드를 통한 생산 능력 확장도 포함될 가능성을 우려해왔다.
물리적인 확장뿐만 아니라 기술적인 방식을 통한 생산량 증대가 불가능해질 경우 중국 기업과의 경쟁력을 유지할 수 없기 때문이다.
이에 따라 한국 업계는 중국에서 기술 경쟁력을 유지할 수 있는 길은 계속 열려 있게 돼 최악의 '차이나 리스크'는 피할 수 있게 됐다.
상무부는 또 미국 정부의 보조금을 받는 기업에 대해 상무부나 재무부 등의 블랙리스트에 있는 화웨이, YMTC 등 중국 우려 기업과의 공동 연구를 하거나 기술 라이선싱(특허사용계약)을 하는 것을 금지했다.
기술 라이선싱 문제는 최근 미국 자동차 업체 포드가 중국 전기차 배터리 업체 CATL과 합작공장 신설을 발표하면서 인플레이션 감축법(IRA)의 관련 규정을 우회했다는 논란을 의식해서 나온 조치로 알려졌다.
상무부의 이번 세부 규정은 반도체 지원법상 보조금 회수 기준과 관련된 것이다.
이와 별개로 미국은 지난해 10월 미국 기업이 ▲ 핀펫(FinFET) 기술 등을 사용한 로직칩(16nm 내지 14nm 이하) ▲ 18nm 이하 D램 ▲ 128단 이상 낸드플래시를 생산할 수 있는 장비·기술을 중국에 판매할 경우 허가를 받도록 해 사실상 수출을 금지하는 조치를 취한 바 있다.
한국 정부는 당시 미국 정부와 협상해 삼성과 SK가 1년 동안은 중국공장 업그레이드에 필요한 장비를 수입해도 된다는 포괄적 허가(license)를 받았다.
삼성과 SK는 미국 정부의 허가로 올해 10월까지는 중국공장에서 이들 장비를 계속 수입할 수 있지만 그 이후가 문제다.
수출통제를 담당하는 상무부 산업안보국(BIS)의 앨런 에스테베스 차관은 이와 관련해 지난달 23일 "기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 상한(cap on level)을 설정할 가능성이 크다"고 말했다.
bluekey@yna.co.kr
soleco@yna.co.kr
(끝)
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美, 반도체법 對中투자제한규정 공개…삼성·SK, '차이나 리스크' 줄어
범용반도체는 10% 이내 증산 허용…中기업과 연구개발·기술라이선싱 금지
(워싱턴=연합뉴스) 강병철 김동현 특파원 = 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 반도체 지원법(CHIPS Act)에서 규정한 투자 보조금을 받으면 이후 10년간 중국에서 반도체 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 된다.
다만 기술 개발을 통해 한 웨이퍼당 생산 규모를 늘리는 것은 생산 능력으로 보지 않겠다고 하면서 기술적 업그레이드에 대해서는 규제하지 않기로 했다.
미국 정부는 그러나 화웨이 등 중국 업체와의 공동 연구 개발 금지 방침도 재확인했다.
미국 상무부는 21일(현지시간) 미국 반도체법 지원금이 국가안보를 저해하는 용도로 사용되지 않도록 설정한 가드레일(안전장치) 조항의 세부 규정안을 관보 등을 통해 공개했다.
반도체법은 중국이 간접적인 혜택을 입는 것을 막기 위해 보조금을 받은 기업이 이후 10년간 중국 등 우려 국가에서 반도체 생산능력을 '실질적으로 확장'(material expansion)하는 중대한 거래를 할 경우 보조금 전액을 반환해야 한다고 규정했다.
상무부는 이날 공개한 규정안에서 '실질적인 확장'을 양적인 생산능력 확대로 규정했다.
또 상무부는 '중대한 거래 규모'를 10만 달러(약 1억3천만원)로 정의했다.이 금액을 넘어설 경우 첨단 반도체의 경우 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하게 하고, 이전 세대의 범용(legacy) 반도체는 생산능력을 10% 이상 늘리지 못하게 했다.
상무부는 범용 반도체 기준으로 ▲ 로직 반도체는 28nm(나노미터·10억분의 1m) ▲ D램은 18나노미터 ▲ 낸드플래시는 128단으로 정의했다.
이보다 높은 수준의 반도체를 생산할 경우 새로운 시설의 건설, 새 반도체 제조 능력추가 등을 통해 5% 이상 생산능력을 늘리지 못한다.
지난해 10월에 상무부가 발표한 대중국 수출통제 조치와 비교해 로직 반도체(14nm)의 경우 기준이 크게 강화됐으나 한국 기업과 관련된 D램이나 낸드 플래시의 경우에는 같은 기준이 적용됐다.
현재 삼성전자와 SK하이닉스는 현재 중국에서 비교적 첨단 반도체를 생산하고 있는 것으로 알려졌으며 미국 정부의 보조금을 받을 경우 기술적 수준에 따라 5~10% 생산시설 확장 제한 조치를 받게 된다.
다만 상무부는 일정 수준 이상의 반도체 생산 능력 증대를 금지하는 것과 관련, "전체적인 생산 능력이 (기준 이상으로) 증가하지 않는 한 보조금을 받은 업체가 기술적인 업그레이드를 통해서 계속 경쟁력을 유지하고 활동하는 것을 허락한다는 의미"라고 설명했다.
이는 가령 기술 개발을 통해 웨이퍼 한 장을 통해 생산하는 반도체가 늘어나는 것은 생산 능력 증대로 보지 않겠다는 뜻이다.
이와 관련, 상무부는 반도체 생산 능력의 구체 기준을 반도체 제조 시설의 경우 월별 웨이퍼 수, 반도체 패키지 시설의 경우 월별 패키지 수로 정의했다.
앞서 한국 기업은 그동안 반도체 지원법상의 '실질적 확장'이라는 용어에 기술적 업그레이드를 통한 생산 능력 확장도 포함될 가능성을 우려해왔다.
물리적인 확장뿐만 아니라 기술적인 방식을 통한 생산량 증대가 불가능해질 경우 중국 기업과의 경쟁력을 유지할 수 없기 때문이다.
이에 따라 한국 업계는 중국에서 기술 경쟁력을 유지할 수 있는 길은 계속 열려 있게 돼 최악의 '차이나 리스크'는 피할 수 있게 됐다.
상무부는 또 미국 정부의 보조금을 받는 기업에 대해 상무부나 재무부 등의 블랙리스트에 있는 화웨이, YMTC 등 중국 우려 기업과의 공동 연구를 하거나 기술 라이선싱(특허사용계약)을 하는 것을 금지했다.
기술 라이선싱 문제는 최근 미국 자동차 업체 포드가 중국 전기차 배터리 업체 CATL과 합작공장 신설을 발표하면서 인플레이션 감축법(IRA)의 관련 규정을 우회했다는 논란을 의식해서 나온 조치로 알려졌다.
상무부의 이번 세부 규정은 반도체 지원법상 보조금 회수 기준과 관련된 것이다.
이와 별개로 미국은 지난해 10월 미국 기업이 ▲ 핀펫(FinFET) 기술 등을 사용한 로직칩(16nm 내지 14nm 이하) ▲ 18nm 이하 D램 ▲ 128단 이상 낸드플래시를 생산할 수 있는 장비·기술을 중국에 판매할 경우 허가를 받도록 해 사실상 수출을 금지하는 조치를 취한 바 있다.
한국 정부는 당시 미국 정부와 협상해 삼성과 SK가 1년 동안은 중국공장 업그레이드에 필요한 장비를 수입해도 된다는 포괄적 허가(license)를 받았다.
삼성과 SK는 미국 정부의 허가로 올해 10월까지는 중국공장에서 이들 장비를 계속 수입할 수 있지만 그 이후가 문제다.
수출통제를 담당하는 상무부 산업안보국(BIS)의 앨런 에스테베스 차관은 이와 관련해 지난달 23일 "기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 상한(cap on level)을 설정할 가능성이 크다"고 말했다.
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