美 실리콘밸리서 '파운드리 포럼'…최첨단공정 로드맵 첫 발표
2나노공정, 2025년 모바일·2026년 HPC·2027년 차량용 반도체로 확대
2025년 GaN 전력반도체 양산…관련 업체들과 첨단 패키지 협의체 구성
(새너제이[미 캘리포니아주]=연합뉴스) 김태종 특파원 = 삼성전자는 27일(현지시간) 최첨단 반도체 공정 기술로 인공지능(AI) 시대를 주도하겠다고 밝혔다.
삼성전자는 이날 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 AI시대를 겨냥한 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표하면서 이같이 선언했다.
파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설에서 "고객사들이 AI 전용 반도체 개발에 적극적으로 나서고 있다"며 "삼성전자는 AI 반도체에 가장 최적화된 '게이트올어라운드'(GAA·Gate All Around) 트랜지스터 기술 혁신으로 AI 기술 패러다임의 변화를 주도하겠다"고 말했다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로, 삼성전자가 작년 6월 세계 최초로 GAA 기반 3나노(nm) 반도체를 양산했다.
이미 GAA 기술을 기반으로 하는 최첨단 공정을 통해 2나노 반도체를 2025년부터 양산하겠다고 밝힌 바 있는 삼성전자는 구체적인 일정도 처음 제시했다.
2025년에 모바일 중심으로 시작해 2026년에는 2나노 공정을 고성능컴퓨팅(HPC)에 적용하고, 2027년에는 차량용 반도체로 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.
또 2나노 공정을 뛰어넘는 1.4나노 공정은 계획대로 2027년부터 양산에 들어갈 것이라고 재확인했다.
이와 함께 AI 기술에 필요한 고성능 저전력 GaN(질화갈륨) 전력 반도체 양산을 위한 파운드리 서비스도 2025년부터 시작하기로 했다.
온도·습도로부터 하나의 반도체를 보호하는 패키지 기술도 단순한 보호 기능을 넘어 서로 다른 기능을 하는 두 개 이상의 반도체를 하나의 칩처럼 작동하도록 확대해 나간다는 계획이다.
이를 위해 관련 업체들과 첨단 패키지 협의체 'MDI(Multi Die Integration) 동맹'(Alliance)을 구성해 차세대 패키지 시장을 선도해 나간다는 방침이다.
AI 반도체를 위한 기술뿐만 아니라 양산 능력(클린룸)도 지속적으로 확장해 나가기로 했다.
올해 하반기 평택 공장 3라인을 시작으로, 내년 하반기에는 텍사스의 테일러 공장 1라인에서도 파운드리 제품의 양산을 시작할 계획이다.
삼성전자는 이를 통해 2027년 반도체 생산 능력을 2021년 대비 7.3배 수준으로 끌어 올릴 것이라고 설명했다.
파운드리 사업부 주요 고객과 파트너 총 700여명이 참석한 이번 행사에는 38개 파트너가 행사장에 부스를 마련해 최신 파운드리 기술 트렌드를 공유했다.
이들 고객사는 28일 열리는 세이프(SAFE·Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼에서도 최신 기술을 공유할 예정이다.
삼성전자는 이날 포럼에서 내년 상반기까지 2나노용 최첨단 인터페이스 IP를 확보해 2025년부터 양산하겠다는 계획을 재확인할 예정이다.
최시영 사장은 "파트너와 함께 최첨단 패키지 원스톱 턴키 서비스를 제공해 (반도체의 집적도가 2년마다 2배로 늘어난다는) '무어 시대'를 뛰어넘는 '비욘드 무어(Beyond Moore) 시대를 선도하겠다"고 강조했다.
taejong75@yna.co.kr
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