[삼성 반도체 50년] ⑤ 태동부터 현재까지 주요 사업 일지

[삼성 반도체 50년] ⑤ 태동부터 현재까지 주요 사업 일지



(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자는 50년 전 경기도 부천에 뿌리를 내리며 척박했던 대한민국 반도체 산업의 싹을 틔웠다.
이후 명실상부한 전 세계 '메모리반도체 1위' 기업으로 자리를 잡았고, 설계와 파운드리(반도체 위탁생산) 등 시스템반도체까지 영역을 확대하며 새로운 역사를 써내고 있다.
다음은 삼성전자의 50년간의 반도체 사업 주요 일지를 정리한 것이다.

◇ 삼성전자 반도체 사업 연혁
▲ 1974년 = 한국반도체 인수로 반도체 사업 개시
▲ 1983년 = 동경선언 "왜 우리는 반도체 사업을 해야하는가". 기흥사업장 메모리 반도체사업 시작
▲ 1983년 = 미국, 일본에 이어 세계 3번째 64킬로비트(Kb) D램 개발
▲ 1985년 = 반도체 수출 1억달러 달성
▲ 1992년 = 64메가비트(Mb) D램 세계 최초 개발 D램 시장 세계 1위 달성
▲ 1993년 = 세계 메모리반도체 1위
▲ 1994년 = 256Mb D램 세계 최초 개발
▲ 1996년 = 1기가비트(Gb) D램 세계 최초 개발
▲ 1999년 = 화성사업장 기공식
▲ 2002년 = 낸드 플래시메모리 세계 1위
▲ 2003년 = 낸드 및 노어 플래시메모리 세계 1위
▲ 2011년 = 세계 최초 20나노급 D램 양산
▲ 2012년 = 세계 최초 10나노급 64Gb 낸드 양산
▲ 2013년 = 세계 최초 3차원 수직구조 1세대 V낸드 양산
▲ 2014년 = 중국 시안 낸드플래시 라인 준공
▲ 2015년 = 평택단지 기공식
▲ 2016년 = 세계 최초 10나노급 D램 양산. 업계 최초 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2 상용화
▲ 2017년 = 평택단지 본격 가동, 4세대 V낸드 양산
▲ 2018년 = 파운드리 7나노 극자외선(EUV) 생산
▲ 2019년 = 세계 최초 '3세대 10나노급(1z) D램' 개발
▲ 2020년 = 세계 최대 규모 평택 2라인 가동. EUV 전용 화성 'V1 라인' 본격 가동
▲ 2021년 = 미국 텍사스 테일러시에 신규 파운드리 라인 투자
▲ 2022년 = 세계 최초 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노(㎚) 공정 개발
▲ 2023년 = 업계 최선단 12나노급 D램 양산
▲ 2024년 = 업계 최초 9세대 V낸드 양산. 차세대 반도체 R&D 단지(NRD-K) 설비반입식 개최
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