삼성전자, 45나노 플래시메모리 개발

삼성전자는 세계 최초로 45나노급(1나노는 10억분의 1ｍ) 공정으로 플래시메모리를 시스템반도체에 넣은 내장형 플래시메모리를 개발했다고 15일 발표했다. 이 기술을 통해 신용카드 등에 쓰이는 스마트카드 집적회로(IC) 칩도 개발했다. 기존 80나노 칩에 비해 생산성이 높고 소모전력을 25% 절감할 수 있다.

정인설 기자 surisuri@hankyung.com




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