SK하이닉스, 저전력·고용량 6Gb LPDDR3 개발…내년 양산

입력 2013-10-30 08:49  

SK하이닉스는 20나노급 기술을 적용한 6기가비트(Gb) LPDDR3 제품을 개발했다고 30일 발표했다.

지난 6월 세계 최초로 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 6Gb 제품까지 선보임에 따라 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 강화할 수 있을 것으로 예상된다.

이 제품을 4단 적층하면 3기가바이트(GB, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 SK하이닉스 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어든다고 회사 측은 설명했다.

속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB, 듀얼 채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.

SK하이닉스는 이 제품 샘플을 고객사에 공급했고, 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.

3GB LPDDR3 제품의 경우 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될 것으로 전망된다.

SK하이닉스 관계자는 "모바일 제품의 기술을 고도화하고, 최고 성능을 갖춘 제품을 개발하는 등 포트폴리오를 다양화 해 급변하는 모바일 시장에 대응해 나갈 것"이라고 말했다.

한경닷컴 권민경 기자 kyoung@hankyung.com







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