"미·일, 차세대 반도체 M램 공동개발 나서"

미·일 반도체 관련기업이 모바일기기의 성능을 대폭 향상시키는 차세대 메모리 양산 기술을 공동개발한다고 니혼게이자이신문이 24일 보도했다.

현행 메모리에 비해 기억용량이 10배 많아지고 전자기기 소비전력을 3분의 2로 줄인 M램(자기기록식 메모리) 차세대 메모리로 2016년 기술 개발을 완료한다는 계획이다.

미국 마이크론 테크놀로지는 이르면 2018년 양산에 들어간다.

M램은 일본 도시바가 한국 SK하이닉스와 공동 개발 중이며 삼성전자도 연구를 벌이고 있다.

국제경쟁력이 높은 일본의 소재·장치 업체들이 결집, 차세대 메모리 개발의 주도권을 쥐겠다는 생각이라고 신문은 전했다.

공동개발에는 일본에서 반도체 제조장치 세계 3위의 도쿄일렉트론, 반도체 웨이퍼(기판) 1위의 신에쓰화학공업, 반도체 대기업 르네사스일렉트로닉스, 히타치제작소 등이 참여, 내년 초부터 개발에 본격 착수한다.

M램은 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않고 컴퓨터, 스마트폰에 쓰이는 D램에 비해 기억용량 등이 10배에 달해 동작 속도가 빨라진다.

한번 충전으로 스마트폰 사용시간이 현재의 최대 수십시간에서 수백시간으로 늘어난다.

한경닷컴 뉴스룸
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