삼성, 세계 최초 차세대 '20나노 8기가비트 모바일 D램' 양산
애플 아이폰 등 글로벌 하이엔드 스마트폰 부품 본격 공급
CES 3년 연속 D램 기술 혁신상 기술력 인정
[ 김민성 기자 ] 삼성전자가 스마트폰 데이터 처리 필수 부품인 모바일 D램을 20나노 공정으로 본격 양산한다. 이 기술로 4기가바이트(GB) 모바일 D램을 제조하면 데이터 처리 속도는 더 향상되고, 전력 소모는 더 줄어든다.
삼성전자의 갤럭시 시리즈 뿐만 아니라 애플 아이폰 등 유명 스마트폰에 쓰일 차세대 '초고속 초절전 고용량' 모바일 D램으로 평가된다. 올해 애플 등 글로벌 모바일 기기 제조업체의 하이엔드(High-End) 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급해온 삼성전자는 내년 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급할 계획이다.
23일 삼성전자에 따르면 20나노 공정을 적용한 차세대 '20나노 8기가비트 LPDDR4' 모바일 D램은 1기가바이트(8Gb = 1GB) 칩 4개를 이용하면 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 제품을 만들 수 있다.
기존 LPDDR3 제품보다 2배 더 빠르게 데이터를 처리하면서도 전력 소모는 최대 40%까지 아끼는 장점이 있다. '8기가비트 LPDDR4'는 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1,600Mb/s) 보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리한다. 초고해상도(UHD) 급 동영상과 2000만 화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할만큼 처리 속도가 빠르다.
삼성전자의 4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램은 내년 1월 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 가전박람회 CES 2015에서 혁신상을 수상한다. 메모리 업계에서 유일하게 모바일 D램으로 3년 연속 혁신상을 받을만큼 기술력을 인정받은 셈이다.
삼성전자는 현재 20나노 공정을 적용한 서버용 8기가비트 D램도 생산하고 있다. 향후 20나노 라인업 생산 비중을 더욱 높여 프리미엄 D램 시장의 성장세를 지속적으로 주도해 나간다는 계획이다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객사가 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여할 수 있다"며 "향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 운영체제(OS) 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공하겠다"고 밝혔다.
◇ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁
2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
2011년 1GB/2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1,066Mb/s)
2012.8 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1,600Mb/s)
2013.4 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2013.7 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2013.11 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2014.9 3GB (20나노 6기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2014.12 2GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3.200Mb/s)
2015.1 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3.200Mb/s)
한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray
애플 아이폰 등 글로벌 하이엔드 스마트폰 부품 본격 공급
CES 3년 연속 D램 기술 혁신상 기술력 인정
[ 김민성 기자 ] 삼성전자가 스마트폰 데이터 처리 필수 부품인 모바일 D램을 20나노 공정으로 본격 양산한다. 이 기술로 4기가바이트(GB) 모바일 D램을 제조하면 데이터 처리 속도는 더 향상되고, 전력 소모는 더 줄어든다.
삼성전자의 갤럭시 시리즈 뿐만 아니라 애플 아이폰 등 유명 스마트폰에 쓰일 차세대 '초고속 초절전 고용량' 모바일 D램으로 평가된다. 올해 애플 등 글로벌 모바일 기기 제조업체의 하이엔드(High-End) 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급해온 삼성전자는 내년 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급할 계획이다.
23일 삼성전자에 따르면 20나노 공정을 적용한 차세대 '20나노 8기가비트 LPDDR4' 모바일 D램은 1기가바이트(8Gb = 1GB) 칩 4개를 이용하면 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 제품을 만들 수 있다.
기존 LPDDR3 제품보다 2배 더 빠르게 데이터를 처리하면서도 전력 소모는 최대 40%까지 아끼는 장점이 있다. '8기가비트 LPDDR4'는 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1,600Mb/s) 보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리한다. 초고해상도(UHD) 급 동영상과 2000만 화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할만큼 처리 속도가 빠르다.
삼성전자의 4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램은 내년 1월 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 가전박람회 CES 2015에서 혁신상을 수상한다. 메모리 업계에서 유일하게 모바일 D램으로 3년 연속 혁신상을 받을만큼 기술력을 인정받은 셈이다.
삼성전자는 현재 20나노 공정을 적용한 서버용 8기가비트 D램도 생산하고 있다. 향후 20나노 라인업 생산 비중을 더욱 높여 프리미엄 D램 시장의 성장세를 지속적으로 주도해 나간다는 계획이다.
최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객사가 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여할 수 있다"며 "향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 운영체제(OS) 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공하겠다"고 밝혔다.
◇ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁
2009년 256MB (50나노급 1기가 MDDR, 400Mb/s)
2010년 512MB (40나노급 2기가 MDDR, 400Mb/s)
2011년 1GB/2GB (30나노급 4기가 LPDDR2, 1,066Mb/s)
2012.8 2GB (30나노급 4기가 LPDDR3, 1,600Mb/s)
2013.4 2GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2013.7 3GB (20나노급 4기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2013.11 3GB (20나노급 6기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2014.9 3GB (20나노 6기가 LPDDR3, 2,133Mb/s)
2014.12 2GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3.200Mb/s)
2015.1 4GB (20나노 8기가 LPDDR4, 3.200Mb/s)
한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray
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