미국 반도체의 역습
인텔·마이크론 '차세대 반도체' 개발 영향은
"빅데이터 시대 겨냥한 초고속·고용량 제품"
낸드플래시 이후 25년만의 '파괴적 혁신' 주장
삼성·SK도 기술 개발했지만 3년후에나 양산
[ 정지은 기자 ] 미국 인텔과 마이크론테크놀로지가 내년 중 대량 생산하겠다고 밝힌 ‘3D 크로스포인트’(사진)는 저장 속도를 획기적으로 높인 메모리 반도체다.
세계 메모리 반도체업계 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스도 비슷한 기술을 갖고 있다. 하지만 양산은 3년 뒤에나 가능할 것으로 예상하고 있다. ‘인텔-마이크론 연합’에 국내 업계가 긴장하는 이유다.
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○낸드보다 1000배 빠른 메모리
인텔과 마이크론은 29일 이 기술을 발표하며 “메모리 기술의 돌파구”라고 했다. 두 회사는 “낸드플래시가 1989년 도입된 지 25년여 만에 새로운 메모리 카테고리가 만들어지는 것”이라고 설명했다. 마크 애 喧?마이크론 사장은 “이것은 완전히 새로운 패러다임”이라며 “이 기술이 낸드플래시와 D램을 합해 785억달러 규모인 메모리 칩 시장에 파괴적인 혁신을 일으킬 것”이라고 말했다.
이 메모리 칩이 전원 공급이 끊기더라도 기억된 내용을 보존하는 ‘비휘발성 메모리’라는 점은 낸드플래시 메모리와 같다. 하지만 속도와 내구성이 기존 낸드플래시보다 각각 1000배 빠르고 수명도 길다는 것이 두 회사의 설명이다. 이 기술을 이용한 메모리 칩은 대규모 데이터에서 패턴을 찾아내야 하는 음성인식과 금융사기 탐지, 유전자 연구 등에 유용하게 쓰일 수 있는 것으로 알려졌다.
찰스 브라운 인텔 수석연구원은 이날 서울 코엑스 인터컨티넨탈호텔에서 열린 국내 브리핑에서 “빅데이터 시대를 맞아 데이터 사용량이 계속 늘어나면서 D램이나 낸드를 뛰어넘을 새로운 메모리 반도체에 대한 갈증이 커지고 있다”며 “인텔과 마이크론은 10년간의 연구개발 끝에 특수 소재를 이용해 해결 방법을 찾았다”고 말했다. 또 “이 기술이 향후 메모리 시장 판도를 바꿔놓게 될 것”이라고 자신했다.
시장조사업체 IDC에 따르면 전 세계에서 생산되는 데이터의 양은 2013년 4ZB(제타바이트)에서 2020년 44ZB로 10배 이상 늘어날 전망이다.
○삼성·SK하이닉스 위협할 수도
삼성전자와 SK하이닉스도 이번 신기술 공개에 촉각을 곤두세우는 분위기다. 지금은 마이크론이 메모리 반도체 시장에서 3위에 불과하지 ?후발주자도 새로운 원재료를 개발하면 단번에 판세를 뒤집을 수 있다는 점에서다. 업계 관계자는 “마이크론 혼자 뛰어드는 게 아니라 세계 1위 시스템 반도체업체인 인텔이 함께 참여했다는 점이 부담스러운 대목”이라고 말했다.
삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 비휘발성 메모리로 저항성 램(Re램) 등 비슷한 유형의 차세대 메모리를 개발하고 있다. 하지만 아직 값싸게 대량생산할 수 있는 단계는 아닌 것으로 알려졌다. 국내 업체들은 차세대 반도체 시장의 개화 시기를 일러야 2018년으로 보고 있다.
따라서 앞으로의 관건은 인텔과 마이크론이 얼마나 빨리, 그리고 얼마나 싸게 차세대 반도체를 만들어내느냐에 달렸다. 업계에선 인텔과 마이크론의 제품이 경쟁사 제품보다 나은지를 판단하기는 이르다는 시각도 만만치 않다.
하지만 인텔 관계자는 “현재 기술개발이 시작된 게 아니라 양산 준비가 끝났다는 점을 강조하고 싶다”며 “올해 고객사에 샘플을 공급하고 내년에 미국 유타공장에서 대량 생산을 시작한다”고 강조했다. 국내 업체 관계자는 “내년부터 대량 생산해 납품을 시작한다면 국내 업계에 상당한 타격이 될 수 있다”고 우려했다.
■ 3D 크로스포인트
인텔과 마이크론테크놀로지가 데이터 임시저장용 반도체인 D램과 반영구 저장장치인 낸드플래시의 장점을 합해 만든 차세대 메모리반도체. 기존 낸드플래시보다 데이터 저장속도가 1000배 이상 빠르다.
정지은 기자 jeong@hankyung.com
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인텔·마이크론 '차세대 반도체' 개발 영향은
"빅데이터 시대 겨냥한 초고속·고용량 제품"
낸드플래시 이후 25년만의 '파괴적 혁신' 주장
삼성·SK도 기술 개발했지만 3년후에나 양산
[ 정지은 기자 ] 미국 인텔과 마이크론테크놀로지가 내년 중 대량 생산하겠다고 밝힌 ‘3D 크로스포인트’(사진)는 저장 속도를 획기적으로 높인 메모리 반도체다.
세계 메모리 반도체업계 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스도 비슷한 기술을 갖고 있다. 하지만 양산은 3년 뒤에나 가능할 것으로 예상하고 있다. ‘인텔-마이크론 연합’에 국내 업계가 긴장하는 이유다.
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○낸드보다 1000배 빠른 메모리
인텔과 마이크론은 29일 이 기술을 발표하며 “메모리 기술의 돌파구”라고 했다. 두 회사는 “낸드플래시가 1989년 도입된 지 25년여 만에 새로운 메모리 카테고리가 만들어지는 것”이라고 설명했다. 마크 애 喧?마이크론 사장은 “이것은 완전히 새로운 패러다임”이라며 “이 기술이 낸드플래시와 D램을 합해 785억달러 규모인 메모리 칩 시장에 파괴적인 혁신을 일으킬 것”이라고 말했다.
이 메모리 칩이 전원 공급이 끊기더라도 기억된 내용을 보존하는 ‘비휘발성 메모리’라는 점은 낸드플래시 메모리와 같다. 하지만 속도와 내구성이 기존 낸드플래시보다 각각 1000배 빠르고 수명도 길다는 것이 두 회사의 설명이다. 이 기술을 이용한 메모리 칩은 대규모 데이터에서 패턴을 찾아내야 하는 음성인식과 금융사기 탐지, 유전자 연구 등에 유용하게 쓰일 수 있는 것으로 알려졌다.찰스 브라운 인텔 수석연구원은 이날 서울 코엑스 인터컨티넨탈호텔에서 열린 국내 브리핑에서 “빅데이터 시대를 맞아 데이터 사용량이 계속 늘어나면서 D램이나 낸드를 뛰어넘을 새로운 메모리 반도체에 대한 갈증이 커지고 있다”며 “인텔과 마이크론은 10년간의 연구개발 끝에 특수 소재를 이용해 해결 방법을 찾았다”고 말했다. 또 “이 기술이 향후 메모리 시장 판도를 바꿔놓게 될 것”이라고 자신했다.
시장조사업체 IDC에 따르면 전 세계에서 생산되는 데이터의 양은 2013년 4ZB(제타바이트)에서 2020년 44ZB로 10배 이상 늘어날 전망이다.
○삼성·SK하이닉스 위협할 수도
삼성전자와 SK하이닉스도 이번 신기술 공개에 촉각을 곤두세우는 분위기다. 지금은 마이크론이 메모리 반도체 시장에서 3위에 불과하지 ?후발주자도 새로운 원재료를 개발하면 단번에 판세를 뒤집을 수 있다는 점에서다. 업계 관계자는 “마이크론 혼자 뛰어드는 게 아니라 세계 1위 시스템 반도체업체인 인텔이 함께 참여했다는 점이 부담스러운 대목”이라고 말했다.
삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 비휘발성 메모리로 저항성 램(Re램) 등 비슷한 유형의 차세대 메모리를 개발하고 있다. 하지만 아직 값싸게 대량생산할 수 있는 단계는 아닌 것으로 알려졌다. 국내 업체들은 차세대 반도체 시장의 개화 시기를 일러야 2018년으로 보고 있다.
따라서 앞으로의 관건은 인텔과 마이크론이 얼마나 빨리, 그리고 얼마나 싸게 차세대 반도체를 만들어내느냐에 달렸다. 업계에선 인텔과 마이크론의 제품이 경쟁사 제품보다 나은지를 판단하기는 이르다는 시각도 만만치 않다.
하지만 인텔 관계자는 “현재 기술개발이 시작된 게 아니라 양산 준비가 끝났다는 점을 강조하고 싶다”며 “올해 고객사에 샘플을 공급하고 내년에 미국 유타공장에서 대량 생산을 시작한다”고 강조했다. 국내 업체 관계자는 “내년부터 대량 생산해 납품을 시작한다면 국내 업계에 상당한 타격이 될 수 있다”고 우려했다.
■ 3D 크로스포인트
인텔과 마이크론테크놀로지가 데이터 임시저장용 반도체인 D램과 반영구 저장장치인 낸드플래시의 장점을 합해 만든 차세대 메모리반도체. 기존 낸드플래시보다 데이터 저장속도가 1000배 이상 빠르다.
정지은 기자 jeong@hankyung.com
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