삼성 '반도체' 초격차…세계 최초 '3세대' 10나노급 D램 개발

세계 최고 미세 공정 기반 '1z나노' 8Gb DDR4 D램
초고속·초절전 솔루션 확보…차세대 DDR5 시장 선점



삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램'을 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만이다.

삼성전자는 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발하면서 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다. 초격차 전략을 강화한 것이다.

신제품은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 속도 증가로 전력효율도 개선됐다. 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목 평가를 통과해 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다.

삼성전자는 올 하반기부터 신제품을 본격 양산하고 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급할 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나가겠다"고 말했다.

윤진우 한경닷컴 기자 jiinwoo@hankyung.com
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