SK하이닉스, 중국 '우시' 확장팹 준공… "중장기 D램 경쟁력 확보"

미세공정 전환 필요 '생산공간' 확보
추가 '클린룸·장비입고' 탄력적 결정



SK하이닉스가 18일 중국 우시에서 기존 D램 생산라인을 확장한 'C2F'의 준공식을 진행했다. 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 확장을 결정한 생산라인이다.

이날 준공식은 '새로운 도약, 새로운 미래'를 주제로 열렸다. 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 관계자 500여명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 D램 생산라인을 완공했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.

그러나 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. SK하이닉스가 2017년 6월부터 2019년 4월까지 9500억원을 투입해 반도체 생산공간을 확보한 이유다.

새로 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 탄력적으로 결정할 계획이다.

강영수 SK하이닉스 우시FAB담당 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영해 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 계획"이라 말했다.

윤진우 한경닷컴 기자 jiinwoo@hankyung.com
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