삼성전자, 고성능 10나노급 128Gb 낸드플래시 양산

삼성전자[005930]는 이달부터 고성능 ཆ나노급' 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리를 본격 양산하고 있다고 11일 밝혔다.

지난해 11월 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한 지 5개월만에 두 배 용량의 제품 양산에 들어간 것이다.

128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 고속 인터페이스를 적용한 업계 최고 수준의 고성능 제품이다.

삼성전자는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산으로 대용량 내장 스토리지와 SSD시장을 본격 확대해 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나갈 계획이다.

삼성전자는 2010년 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품 양산에 들어갔다.

이 제품을 2012년 9월 출시한 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB(기가바이트) 이상대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다.

이번에 양산에 들어간 128Gb 3bit MLC 낸드플래시는 128GB 메모리카드 시장과 500GB이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 기여할것으로 전망된다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 부사장은 "고성능 128Gb 낸드플래시 양산으로 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화했다"며 "차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응할 것"이라고 밝혔다.

sungje@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>