SK하이닉스, 4배 이상 빨라진 초고속 메모리 개발

'실리콘관통전극' 기술 적용…초당 128GB 처리

SK하이닉스[000660](대표 박성욱)는 '실리콘관통전극(TSV, Through Sililcon Via)' 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) D램 제품을개발했다고 26일 밝혔다.

TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식으로 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

이 제품은 고사양 그래픽을 구현하는 데 쓰인다. 앞으로 슈퍼컴퓨터, 네트워크,서버 등에 응용될 전망이다.

고성능·저전력·고용량으로 1.2V 동작 전압에서 1Gbps(초당 기가비트)의 처리속도를 낼 수 있다. 1천24개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB(기가바이트)의데이터 처리가 가능하다.

이는 초당 28GB로 현재 반도체 업계의 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르고 전력소비는 40%가량 낮춘 것이다.

SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓았다. 그래픽 전문업체 AMD와 공동 개발해 기술적 검증을 마쳤다.

SK하이닉스는 내년 상반기 샘플을 낼 계획이다. HBM을 시스템온칩(SoC)과 같이탑재해 하나의 시스템을 이루는 패키지형 시스템(SiP) 형태로 공급한다.

이 제품의 본격 양산은 내년 하반기로 예상된다.

SK하이닉스 홍성주 DRAM 개발본부장은 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 말했다.

oakchul@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>