SK하이닉스, 2배 빠른 차세대 모바일 메모리 개발

입력 2013-12-30 09:25  

SK하이닉스[000660](대표 박성욱)는 데이터 전송속도를 2배로 높이고 동작전압은 낮춘 차세대 모바일 메모리 ƎGb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4)'를 개발했다고 30일 밝혔다.

20나노급 기술을 적용한 이 제품은 현재 시장 주력인 LPDDR3의 1천600Mbps보다2배 빠른 3천200Mbps의 데이터 전송속도를 구현한다. 또 동작전압도 LPDDR3의 1.2V보다 낮은 1.1V에 맞췄다.

LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 사용되기 시작해 2016년부터는 주력제품이 될 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 제품 샘플을 주요 고객사와 시스템온칩(SoC) 업체에 제공하고 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 6Gb·8Gb LPDDR3에 이어 8Gb LPDDR4도 업계 최초로 개발했다고 설명했다.

SK하이닉스 진정훈 마케팅본부장은 "차세대 모바일 표준인 LPDDR4의 기술 리더십을 공고히 했다"며 "고용량·초고속·저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더 강화하겠다"고 말했다.

oakchul@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>

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