내년 3∼4월 시안공장서 Ɖ비트 V낸드' 본격 양산될 듯SSD 시장서 경쟁사와 격차 벌리며 독주 강화 전략
삼성전자[005930]가 메모리반도체 사업의 수익성을 끌어올리고자 차세대 데이터 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장의 지배력을 강화하는 데 총력을 기울이고 있다.
9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 양산체제를 구축한 고성능 Ɖ비트 V낸드'를탑재한 SSD를 앞으로 메모리반도체 사업을 이끌 신성장 동력으로 삼는 전략을 마련한 것으로 알려졌다.
3비트 V낸드는 3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시다.
기존의 10나노미터(nm, 1nm = 10억분의 1ｍ)급 평면구조 낸드플래시에 비해 생산성이 2배 이상 높아 원가경쟁력에서 월등한 뿐 아니라 데이터 처리속도, 내구성,전력 효율성도 크게 향상됐다.
이에 따라 3비트 V낸드를 대량 생산해 SSD에 탑재할 경우 성능과 가격 경쟁력을한꺼번에 높일 수 있을 것으로 보인다.
삼성전자는 지난달 초 마더팹(mother fab)인 화성 반도체공장에 3비트 낸드 양산체제를 갖추는 데 성공한 뒤 곧바로 낸드플래시 전진기지인 중국 시안 반도체공장에서 본격적으로 양산하기 위한 준비에 들어갔다.
마더팹의 양산체제를 다른 공장으로 확장하는데 통상 6개월가량 소요되는 점을감안할 때, 내년 3∼4월부터 3비트 V낸드가 본격 양산될 것으로 업계에서는 예상하고 있다.
화성 반도체공장은 모바일용 평면구조 낸드플래시를 주로 생산하며, V낸드 생산용량은 12인치(300㎜) 웨이퍼 기준 월 1만장 미만으로 알려져 있다.
반면 지난 5월 가동에 들어간 시안 반도체공장은 V낸드 전용으로 현재 월 3만∼4만장을 생산하지만 최대 생산용량은 7만장 이상으로 추정된다.
시안 반도체공장에서 본격적으로 3비트 V낸드가 양산될 경우 기존 제품보다 2배이상 높은 생산성을 고려할 때 시장에 미치는 파장이 클 것으로 예상된다.
삼성전자는 이 같은 3비트 V낸드를 우선 SSD에 적용함으로써 SSD 시장 점유율을끌어올려 독주체제를 강화한다는 전략이다.
삼성전자는 지난달 말 3분기 실적발표 후 가진 콘퍼런스콜에서 내년부터 출시되는 SSD 제품에 모두 V낸드가 탑재할 것이라고 밝힌 바 있다.
이는 고사양의 데이터센터 서버용부터 일반 PC에 쓰이는 소비자용까지 SSD 전제품군에 3비트 V낸드를 탑재함으로써 경쟁사들과 격차를 벌리겠다는 뜻으로 풀이된다.
시장조사기관인 IHS테크놀로지는 최근 보고서에서 삼성전자의 올해 SSD 매출액이 32억7천700만달러로 지난해(20억5천200만달러)보다 60% 증가하고, 시장점유율은26%에서 29%로 높아질 것으로 전망했다.
샌디스크(19%), 인텔(18%), 도시바(9%), 마이크론테크놀로지(8%) 등이 뒤를 이을 것으로 내다봤다.
현재 V낸드를 생산하는 곳은 삼성전자가 유일하며 경쟁사들과의 기술 격차는 2년 이상으로 평가된다.
삼성전자는 데이터 저장 최소 단위인 셀을 32단으로 쌓아올리는 현재의 2세대 V낸드를 업그레이드한 3세대 제품 개발에도 속도를 내고 있다.
업계 한 관계자는 "V낸드는 전력효율, 성능, 내구성 등 거의 모든 면에서 뛰어나 낸드플래시 시장의 '게임 체인저'로 평가받는다"며 "삼성전자가 이를 앞세워 성장성이 큰 SSD 시장에서 조기에 확실한 주도권을 잡으려 한다"고 말했다.
SSD는 낸드플래시를 이용해 정보를 저장하는 차세대 저장장치로 자성물질을 이용한 기존 하드디스크드라이브(HDD)에 비해 안정성이 높고 정보처리 속도가 빨라 최근 보급이 급속히 확대되고 있다.
abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
삼성전자[005930]가 메모리반도체 사업의 수익성을 끌어올리고자 차세대 데이터 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장의 지배력을 강화하는 데 총력을 기울이고 있다.
9일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 양산체제를 구축한 고성능 Ɖ비트 V낸드'를탑재한 SSD를 앞으로 메모리반도체 사업을 이끌 신성장 동력으로 삼는 전략을 마련한 것으로 알려졌다.
3비트 V낸드는 3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시다.
기존의 10나노미터(nm, 1nm = 10억분의 1ｍ)급 평면구조 낸드플래시에 비해 생산성이 2배 이상 높아 원가경쟁력에서 월등한 뿐 아니라 데이터 처리속도, 내구성,전력 효율성도 크게 향상됐다.
이에 따라 3비트 V낸드를 대량 생산해 SSD에 탑재할 경우 성능과 가격 경쟁력을한꺼번에 높일 수 있을 것으로 보인다.
삼성전자는 지난달 초 마더팹(mother fab)인 화성 반도체공장에 3비트 낸드 양산체제를 갖추는 데 성공한 뒤 곧바로 낸드플래시 전진기지인 중국 시안 반도체공장에서 본격적으로 양산하기 위한 준비에 들어갔다.
마더팹의 양산체제를 다른 공장으로 확장하는데 통상 6개월가량 소요되는 점을감안할 때, 내년 3∼4월부터 3비트 V낸드가 본격 양산될 것으로 업계에서는 예상하고 있다.
화성 반도체공장은 모바일용 평면구조 낸드플래시를 주로 생산하며, V낸드 생산용량은 12인치(300㎜) 웨이퍼 기준 월 1만장 미만으로 알려져 있다.
반면 지난 5월 가동에 들어간 시안 반도체공장은 V낸드 전용으로 현재 월 3만∼4만장을 생산하지만 최대 생산용량은 7만장 이상으로 추정된다.
시안 반도체공장에서 본격적으로 3비트 V낸드가 양산될 경우 기존 제품보다 2배이상 높은 생산성을 고려할 때 시장에 미치는 파장이 클 것으로 예상된다.
삼성전자는 이 같은 3비트 V낸드를 우선 SSD에 적용함으로써 SSD 시장 점유율을끌어올려 독주체제를 강화한다는 전략이다.
삼성전자는 지난달 말 3분기 실적발표 후 가진 콘퍼런스콜에서 내년부터 출시되는 SSD 제품에 모두 V낸드가 탑재할 것이라고 밝힌 바 있다.
이는 고사양의 데이터센터 서버용부터 일반 PC에 쓰이는 소비자용까지 SSD 전제품군에 3비트 V낸드를 탑재함으로써 경쟁사들과 격차를 벌리겠다는 뜻으로 풀이된다.
시장조사기관인 IHS테크놀로지는 최근 보고서에서 삼성전자의 올해 SSD 매출액이 32억7천700만달러로 지난해(20억5천200만달러)보다 60% 증가하고, 시장점유율은26%에서 29%로 높아질 것으로 전망했다.
샌디스크(19%), 인텔(18%), 도시바(9%), 마이크론테크놀로지(8%) 등이 뒤를 이을 것으로 내다봤다.
현재 V낸드를 생산하는 곳은 삼성전자가 유일하며 경쟁사들과의 기술 격차는 2년 이상으로 평가된다.
삼성전자는 데이터 저장 최소 단위인 셀을 32단으로 쌓아올리는 현재의 2세대 V낸드를 업그레이드한 3세대 제품 개발에도 속도를 내고 있다.
업계 한 관계자는 "V낸드는 전력효율, 성능, 내구성 등 거의 모든 면에서 뛰어나 낸드플래시 시장의 '게임 체인저'로 평가받는다"며 "삼성전자가 이를 앞세워 성장성이 큰 SSD 시장에서 조기에 확실한 주도권을 잡으려 한다"고 말했다.
SSD는 낸드플래시를 이용해 정보를 저장하는 차세대 저장장치로 자성물질을 이용한 기존 하드디스크드라이브(HDD)에 비해 안정성이 높고 정보처리 속도가 빨라 최근 보급이 급속히 확대되고 있다.
abullapia@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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