삼성전자, 메모리 이어 시스템반도체도 3차원구조 완성(종합)

입력 2015-02-16 11:53  

<<삼성전자가 핀펫 공정 관련 수십건의 특허를 확보했다는 내용 등 추가>>업계 최초 3D 핀펫 공정 14나노 모바일AP 양산

삼성전자[005930]는 업계에서 처음으로 3차원(D) 트랜지스터 구조인 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 14나노 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)의 양산에 들어간다고 16일 밝혔다.

모바일 AP를 만들 때 3D 트랜지스터 구조의 공정을 적용한 것은 삼성전자가 처음이다. 14나노 크기의 제품을 생산할 수 있는 곳 역시 삼성전자가 유일하다.

모바일 AP는 스마트폰 등 모바일기기에서 두뇌 역할을 하는 시스템반도체로 PC의 중앙처리장치(CPU)에 해당한다.

스마트폰에 주로 쓰이는 모바일 AP는 크기와 소비전력이 제품 경쟁력에 결정적인 영향을 미친다.

14나노(1나노미터는 10억분의 1m) 로직(Logic) 공정은 20나노 공정에 비해 성능은 20% 향상된 대신 소비전력은 35% 감소했다.

삼성전자는 기존 20나노 공정에서 사용한 평면(Planar) 구조의 한계를 극복하기위해 3D 트랜지스터 구조의 핀펫 공정을 적용했다.

삼성전자는 2000년대 초반부터 핀펫 공정 연구를 시작해 2003년 국제전자소자회의(IEDM)에서 첫 논문을 발표한 것을 시작으로 다양한 기술과 수십건의 특허를 확보했다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 간섭현상 등을 피하기 위해 셀을 수평이 아닌수직으로 쌓는 3D V낸드 양산에 성공한데 이어 축적된 기술력을 바탕으로 모바일 AP분야에서도 최고 성능의 3D 핀펫 구조를 완성했다.

삼성전자는 14나노 핀펫 공정을 '엑시노스 7 옥타' 시리즈 신제품에 우선 적용한 뒤 다양한 제품으로 확대해 나갈 계획이다.

pdhis959@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>

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