고난이도 TSV 기술 기반…기존보다 37배 고집적상반기 중 8GB HBM2 D램도 양산…프리미엄 메모리시장 성장주도
삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배이상 빠른 차세대 Ɗ기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)D램'을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.
HSB D램은 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 D램 칩에 5천개 이상의 구멍을뚫고 상하를 연결, 기존의 금선을 이용한 D램 패키지보다 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올렸다.
TSV 기술이란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극을 연결한 첨단패키징 기술이다.
이번에 양산한 HBM D램은 2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대규격보다 2배 빠른 속도를 갖췄다.
차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 '초절전·초슬림·고신뢰성'까지 구현했다.
삼성전자는 작년 10월 飘GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈'을 양산하며초고속 메모리 시장을 확대한 바 있다.
이어 2개월 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공, 차세대 그래픽 D램 시장을 선점한것으로 평가된다.
이번 4GB HBM D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2D램 4개로 이뤄져 있다. 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 쌓고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump·범프)로 연결한 구조다.
특히 8Gb HBM2 D램 칩은 높은 대역폭으로 속도를 향상시킬 수 있도록 기존 8GbTSV DDR4보다 36배 이상 많은 5천여개의 구멍을 뚫는 고난이도 TSV 기술을 적용했다.
4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트당 데이터 전송량은 2배높여 전력소모도 크게 줄였다.
그래픽카드 등에 들어갈 때 평면에 D램을 배열하는 GDDR5에 비해 면적을 95% 이상 줄일 수 있다.
예컨대 8GB 그래픽카드에 8Gb GDDR5를 탑재하면 8개의 칩을 평면상에 넓게 배열해야 하지만 4GB HBM2 D램은 두 개의 칩만으로 구성이 가능하다.
삼성전자는 올해 상반기 중 이보다 용량을 2배 올린 8GB HBM D램도 양산할 계획이다.
또 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대, 초고속 컴퓨팅용 HBM 시장을 선점하고 글로벌 IT 고객들의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산 비중을 확대할 방침이다.
삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC(High Performance Computing)를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다"며 "3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하겠다"고 말했다.
┌───────────────────────────────────────┐│ 삼성전자 TSV기술기반 D램 제품 개발·양산 연혁 │├────────────┬──────────────────────────┤│ 2010년 │40나노급 8GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2011년 8월 │30나노급 32GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2014년 8월 │20나노급 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산 ││ │- CES 2015 ECO Tech부문 '혁신상' 수상 ││ │- 2015년 제25주차 IR52 장영실상 '장관상' 수상 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 10월 │20나노 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 10월 │20나노 4GB HBM2 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 12월 │20나노 128GB 3D TSV DDR4 LRDIMM 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 12월 │20나노 4GB HBM2 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2016년 상반기 │20나노 8GB HBM2 양산 예정 │└────────────┴──────────────────────────┘ nomad@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배이상 빠른 차세대 Ɗ기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)D램'을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.
HSB D램은 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용해 D램 칩에 5천개 이상의 구멍을뚫고 상하를 연결, 기존의 금선을 이용한 D램 패키지보다 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올렸다.
TSV 기술이란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극을 연결한 첨단패키징 기술이다.
이번에 양산한 HBM D램은 2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대규격보다 2배 빠른 속도를 갖췄다.
차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 '초절전·초슬림·고신뢰성'까지 구현했다.
삼성전자는 작년 10월 飘GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈'을 양산하며초고속 메모리 시장을 확대한 바 있다.
이어 2개월 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공, 차세대 그래픽 D램 시장을 선점한것으로 평가된다.
이번 4GB HBM D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2D램 4개로 이뤄져 있다. 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 쌓고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump·범프)로 연결한 구조다.
특히 8Gb HBM2 D램 칩은 높은 대역폭으로 속도를 향상시킬 수 있도록 기존 8GbTSV DDR4보다 36배 이상 많은 5천여개의 구멍을 뚫는 고난이도 TSV 기술을 적용했다.
4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트당 데이터 전송량은 2배높여 전력소모도 크게 줄였다.
그래픽카드 등에 들어갈 때 평면에 D램을 배열하는 GDDR5에 비해 면적을 95% 이상 줄일 수 있다.
예컨대 8GB 그래픽카드에 8Gb GDDR5를 탑재하면 8개의 칩을 평면상에 넓게 배열해야 하지만 4GB HBM2 D램은 두 개의 칩만으로 구성이 가능하다.
삼성전자는 올해 상반기 중 이보다 용량을 2배 올린 8GB HBM D램도 양산할 계획이다.
또 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대, 초고속 컴퓨팅용 HBM 시장을 선점하고 글로벌 IT 고객들의 수요 증가세에 맞춰 HBM D램의 생산 비중을 확대할 방침이다.
삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC(High Performance Computing)를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다"며 "3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하겠다"고 말했다.
┌───────────────────────────────────────┐│ 삼성전자 TSV기술기반 D램 제품 개발·양산 연혁 │├────────────┬──────────────────────────┤│ 2010년 │40나노급 8GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2011년 8월 │30나노급 32GB 3D TSV DDR3 RDIMM 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2014년 8월 │20나노급 64GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산 ││ │- CES 2015 ECO Tech부문 '혁신상' 수상 ││ │- 2015년 제25주차 IR52 장영실상 '장관상' 수상 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 10월 │20나노 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 10월 │20나노 4GB HBM2 개발 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 12월 │20나노 128GB 3D TSV DDR4 LRDIMM 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2015년 12월 │20나노 4GB HBM2 양산 │├────────────┼──────────────────────────┤│ 2016년 상반기 │20나노 8GB HBM2 양산 예정 │└────────────┴──────────────────────────┘ nomad@yna.co.kr(끝)<저 작 권 자(c)연 합 뉴 스. 무 단 전 재-재 배 포 금 지.>
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