SK하이닉스가 삼성전자에 이어 D램 '초격차'에 박차를 가하고 있다.
SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트 더블데이터레이트(DDR)4 D램 개발에 성공했다고 21일 밝혔다.
D램은 같은 급이라도 미세화 정도에 따라 단계를 구분한다. 10나노급은 회로 폭을 1억분의 1미터인 10나노미터대로 그려낼 수 있다는 의미. 숫자가 작을수록 선로 폭이 더 좁아지기 때문에 만들기도 어렵다. 이 공정 내에서도 미세화 정도에 따라 1x, 1y, 1z로 구분한다. x에서 z로 갈수록 공정이 더 세분화된다.
SK하이닉스가 이번에 개발한 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16기가비트를 구현했다. 웨이퍼 한 장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐고 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격 최고 속도인 3200메가비피에스(Mbps·초당 메가비트)까지 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8기가비트 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용, D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.
이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준 용량과 속도에 전력 효율까지 갖췄다. 고성능·고용량 D램을 찾는 고객 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다.
노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com
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