용량도 기존 제품 대비 약 두 배 증가한 16GB다. 8개의 16Gb D램칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상층과 하층 칩을 전극으로 연결하는 TSV 기술로 수직연결해 용량을 늘렸다. SK하이닉스 관계자는 “현존하는 D램 중 데이터 처리속도가 가장 빠를 뿐 아니라 고용량, 저전력 특성을 갖춘 제품”이라고 설명했다.
HBM2E는 고도의 연산 능력을 필요로 하는 딥러닝가속기, 고성능컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 반도체로 관심을 끌고 있다. 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터(1초에 100경 번 연산)에 장착될 것이란 전망이 나온다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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