KAIST, 인텔 반도체 4배 용량 메모리 개발

KAIST 연구진이 인텔 제품보다 용량이 크고 성능이 높은 영구메모리 기술을 개발했다.

KAIST는 정명수 전기및전자공학부 교수 연구팀이 비휘발성 메모리와 초저지연 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 하나의 메모리로 통합하는 메모리오버스토리지(MoS) 기술을 개발하는 데 성공했다고 16일 밝혔다.

영구메모리는 전원이 꺼져도 데이터를 보존하는 메모리다. 용량과 성능을 높이는 미래 영구메모리 기술 개발은 인텔 등 소수 글로벌 기업이 주도하고 있다. 정 교수 연구팀은 인텔의 영구메모리 제품인 ‘옵테인’ 대비 메모리 슬롯당 네 배 이상의 저장 용량(테라바이트(TB)급)을 제공한다. 에너지 소모량은 45% 줄였고, 데이터 읽기·쓰기 속도를 110% 높였다.

비휘발성 메모리는 속도가 빠르지만 대용량 데이터를 처리할 수 없다는 게 문제였다. 대안으로 인텔 옵테인 등이 주목받았다. 그러나 옵테인에서는 비휘발성 메모리에 접근할 때마다 OS의 도움이 필요해 비휘발성 메모리를 단독으로 쓸 때보다 읽기·쓰기 속도가 50% 수준으로 떨어진다는 한계가 있었다.

MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로 활용하고, 비휘발성 메모리를 캐시메모리로 활용한다. OS가 아니라 하드웨어가 SSD 입출력을 직접 처리한다. SSD의 큰 저장 공간을 메모리로 활용할 수 있고, 속도도 크게 높아진다. 미래 영구 메모리 기술이 지니는 한계를 대폭 개선했다는 평가다.

이 기술은 대용량 메모리가 필요하고, 정전으로 인한 시스템 장애에 민감한 데이터센터, 슈퍼컴퓨터 등에 활용될 것으로 기대된다.

최한종 기자 onebell@hankyung.com