삼성전자의 차세대 D램인 ‘DDR5 512GB’가 ‘2021 대한민국 임팩테크 대상’에서 대통령상을 수상했다. 기존에 없던 대용량과 저전력 기능을 구현한 점이 호평받았다.
DDR5 512GB는 업계 최초로 고유전율 물질을 도입했다. 반도체 공정에는 미세화에 따른 전류 누설이 발생한다. 삼성전자는 유전율 상수가 높은 고유전율 물질을 공정 과정에 도입해 이를 최소화했다. 이 덕분에 DDR5 메모리 모듈은 기존 제품 대비 전력 소모가 약 13% 적다. 데이터센터와 같이 전력 효율이 중요한 곳에 최적이라는 설명이다.
8단 실리콘 관통 전극 기술(TSV)은 세계 최초 512GB 용량 구현을 가능하게 했다. TSV란 메모리 칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술이다. 16Gb 칩을 연결해 고용량 모듈을 개발했다. 삼성전자 관계자는 “최고 수준의 고용량, 고성능, 저전력 D램”이라며 “차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터산업에 핵심 역할을 할 것”이라고 했다.
이시은 기자 see@hankyung.com
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