미국의 반도체 제조 장비 기업 램리서치는 SK하이닉스와 손잡고 D램 생산성 향상에 나선다고 15일 밝혔다.
램리서치는 SK하이닉스가 첨단 D램 칩 생산의 두 가지 핵심 공정 단계를 위한 개발 도구로 극자외선(EUV) 리소그래피(Lithography)를 위한 신기술을 채택했다고 발표했다. 리소그래피 공정은 반도체의 원료인 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 만드는 것이다.
램리서치가 2020년 선보인 건식(드라이) 레지스트 신기술은 차세대 반도체 생산에 사용되는 핵심 기술인 EUV 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선한다. 또 기존의 화학적 습식 레지스트 공정에 비해 에너지 소비량이 적고 원료를 5~10배 적게 사용해 지속 가능성 측면에서도 이점이 있다고 회사 측은 설명했다.
SK하이닉스는 램리서치의 건식 레지스트 하층막(underlayer)과 건식 개발 공정을 첨단 D램 패터닝(기판에 원하는 회로나 모양을 식각하는 것)에 에 활용할 예정이다. 이병기 SK하이닉스 미래기술연구원 연구개발(R&D) 공정 담당 부사장은 "램리서치와 협력하고 있는 건식 레지스트 기술은 매우 정밀하고 결함이 적으며 패터닝 비용도 저렴하다"고 말했다.
리차드 와이즈 램리서치 부사장은 "재료의 혁신을 통해 EUV 리소그래피의 가장 큰 과제를 해결하고 고급 메모리와 로직에 대한 비용적 측면의 효율을 높일 수 있을 것"이라며 "램리서치의 건식 레지스트 기술은 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.
이 부사장은 "D램 공정이 미세화됨에 따라 EUV 패터닝 혁신이 더 중요해지고 있다"며 "램리서치와 협력하고 있는 건식 레지스트 기술은 매우 정밀하고 결함이 적으며 패터닝 비용도 저렴하다"고 강조했다.
강경주 한경닷컴 기자 qurasoha@hankyung.com
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