삼성전자가 반도체 시장이 빙하기에 접어들었지만 감산은 없을 것이라고 밝혔다. 내년 세계 최초로 5세대 10나노급 D램 양산에 나서는 등 ‘초격차’를 유지해 나가기로 했다.
삼성전자는 5일(현지시간) 미국 새너제이 시그니아호텔에서 ‘삼성 테크데이’를 열고 메모리사업부와 시스템LSI사업부의 기술 로드맵을 공개했다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 수요 감소에 따른 감산 여부를 묻는 질문에 “현재 감산은 논의하고 있지 않다”며 “우리는 당장 상황이 좋지 않더라도 예정된 경로를 손쉽게 바꾸지 않는다”고 말했다. 최근 미국 마이크론이 “내년 설비 투자를 30% 감축하고 공장 가동률을 낮출 것”이라고 밝힌 것과 상반된 대응이다.
삼성전자는 5세대 10나노급 D램을 내년 양산하겠다는 계획도 공개했다. 경쟁사들이 4세대 14나노급 D램을 생산하고 있는 상황에서 세계 최초로 5세대 10나노급을 양산하겠다는 것이다. 반도체 회사 간 ‘단수 경쟁’이 치열한 낸드플래시 분야에서는 2030년 1000단 V낸드를 개발하겠다고 했다. 낸드 단수가 높아지면 저장 공간이 늘어난다.
이날 삼성전자의 행보는 반도체 업황이 좋지 않더라도 적극적인 기술 투자를 통해 메모리 반도체 시장에서 우위를 이어가겠다는 의지로 해석된다.
실리콘밸리=서기열 특파원 philos@hankyung.com
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