토종 팹리스(반도체 설계 전문) 업체인 넷솔이 차세대 메모리반도체인 '스핀 주입형 자기메모리(STT-M램·Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory)'를 국내 최초로 개발했다고 10일 밝혔다. 삼성전자의 파운드리(반도체 위탁생산) 공정으로 생산해 반도체 분야에서 대·중소기업 간 동반 성장 기회가 마련됐다는 평가가 나온다.
M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 램으로, 플래시메모리보다 속도가 약 1만배 빠르고 거의 무한대의 내구성과 초저전력 특징을 가졌다. 최근 각종 정보통신(IT) 기술 발달로 데이터량이 급증해 전송 지연뿐만 아니라 전력 문제가 불거지고 있는 상황에서 STT-MRAM은 우수한 성능과 초저전력을 실현하고 있어 반도체 업계에서 가장 주목받는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다.
P램(PRAM), R램(ReRAM) 등 여러 차세대 메모리반도체 후보군으로 고려되는 다른 신기술에 비해 데이터 처리 속도가 월등한 것으로 알려져 있다. 최근 STT-M램은 주로 사물인터넷(IoT) 기기의 내장 메모리반도체로 연구되고 있다. 글로벌 M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업은 미국의 에버스핀이 있다.
M램을 주목해야 하는 이유는 시장성이 높아서다. 미국 시장조사업체 테크나비오(Technavio)에 따르면 M램 시장 규모는 2024년 9억5271만달러(약 1조3000억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균성장률은 39%에 달할 것으로 예상된다.
넷솔의 STT-M램(제품 사진)은 삼성 파운드리 28나노(nm·나노미터) FD-SOI 공정을 사용해 경쟁 제품 대비 가장 낮은 전력과 가장 작은 칩 크기로 개발됐다. 고객사들이 비용 절감을 기대할 수 있는 부분이다. 넷솔은 연내 STT-M램을 양산할 예정이며 이를 통해 2024년 회사를 코스닥에 상장시킨다는 목표를 세웠다.
노용환 넷솔 연구소장은 "대기업이 관심을 갖지 않는 저전력·저용량 중심의 틈새 반도체 시장은 50억달러 규모로 추산된다"며 "넷솔은 글로벌 틈새 메모리 시장에서 플래시와 램으로 양분된 메모리를 하나로 통합한 솔루션을 제공하는 등 메모리 시장에서 M램이 주류가 되도록 할 것"이라고 강조했다.
김영옥 넷솔 각자 대표는 "다음 단계에서는 삼성 파운드리 14나노 핀펫(FinFET) 공정을 사용해 용량과 성능을 더 높일 것"이라며 "지속 성장하고 있는 IoT, 산업용, 의료, 자동차 시장 등 다양한 응용처에 최적의 대안을 제공하겠다"고 말했다.
김우진 넷솔 각자 대표는 "국내 중소기업에 삼성 파운드리가 높은 수준의 기술을 제공함으로써, 대기업과 중소기업의 협업을 통한 동반 성장 기회가 마련됐다"며 "기술적 가치가 높은 STT-M램을 개발한 것에 자부심을 느낀다"고 했다.
강경주 기자 qurasoha@hankyung.com
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