삼성전자가 전 세계 파운드리 1위 기업 TSMC를 따라잡기 위한 반도체 로드맵을 공개했다.
삼성전자는 27일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표했다.
최시영 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "고객사들이 AI 전용 반도체 개발에 적극적으로 나서고 있다"며 "삼성전자는 AI 반도체에 가장 최적화된 '게이트올어라운드'(GAA·Gate All Around) 트랜지스터 기술 혁신으로 AI 기술 패러다임의 변화를 주도하겠다"고 밝혔다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로, 삼성전자가 지난해 6월 세계 최초로 GAA 기반 3나노(㎚·10억분의 1m) 반도체를 양산했다. 이미 GAA 기술을 기반으로 하는 최첨단 공정을 통해 2나노 반도체를 2025년부터 양산하겠다고 밝힌 바 있는 삼성전자는 구체적인 일정도 처음 제시했다.
2025년에 모바일 중심으로 시작해 2026년에는 2나노 공정을 고성능컴퓨팅(HPC)에 적용하고, 2027년에는 차량용 반도체로 확대할 계획이다. 2나노 공정을 뛰어넘는 1.4나노 공정은 계획대로 2027년부터 양산에 들어간다. 삼성전자가 이처럼 미세 공정 경쟁에 사활을 거는 것은 폭발적으로 수요가 늘고 있는 인공지능(AI) 반도체 등 차세대 반도체 시장을 선점하기 위해서다.
이와 함께 AI 기술에 필요한 고성능 저전력 GaN(질화갈륨) 전력 반도체 양산을 위한 파운드리 서비스도 2025년부터 시작하기로 했다. 질화갈륨 전력 반도체는 기존 실리콘 기반의 반도체의 전력 소모 한계를 극복할 수 있는 차세대 AI반도체의 핵심 기술이다.
또 관련 업체들과 첨단 패키지 협의체 'MDI(Multi Die Integration) 동맹'을 구성해 차세대 패키지 시장을 선도해 나가겠다고 전했다. AI 반도체를 위한 기술뿐만 아니라 양산 능력(클린룸)도 지속적으로 확장해 나가기로 했다.
최첨단 파운드리 공정 서비스 확대 제공과 쉘퍼스트 전략 단계별 실행을 통한 안정적인 제품 지원을 약속했다.
올해 하반기 평택 공장 3라인을 시작으로, 내년 하반기에는 미국 텍사스의 테일러 공장 1라인에서도 파운드리 제품의 양산을 시작할 계획이다. 삼성전자는 이를 통해 2027년 반도체 생산 능력을 2021년 대비 7.3배 수준으로 끌어올릴 것이라고 설명했다.
이번 행사에는 파운드리 사업부 주요 고객과 파트너 총 700여명이 참석했고, 38개 파트너는 행사장에 부스를 마련해 최신 파운드리 기술 트렌드를 공유했다.
최시영 사장은 "파트너와 함께 최첨단 패키지 원스톱 턴키 서비스를 제공해 (반도체의 집적도가 2년마다 2배로 늘어난다는) '무어 시대'를 뛰어넘는 '비욘드 무어(Beyond Moore) 시대'를 선도하겠다"고 강조했다.
조아라 한경닷컴 기자 rrang123@hankyung.com
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