삼성전자에서 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문이 파운드리(반도체 수탁생산)사업부와 메모리사업부의 D램 개발 총책임자를 전격 교체했다. 파운드리에선 3나노미터(nm·1nm=10억분의 1m) 이하 최첨단 공정 경쟁력을 강화해 고객사 확대에 나서는 동시에 메모리사업부에선 고대역폭메모리(HBM), 더블데이터레이트(DDR)5 등 신제품 시장에서 우위를 점하기 위한 목적으로 분석된다. 반도체업계에선 “삼성전자가 반도체 기술 초격차에 대한 의지를 나타낸 것”이란 분석이 나온다.3일 삼성전자에 따르면 DS 부문은 이날 주요 사업부의 부사장급 임원 인사를 단행했다. 메모리사업부 D램개발실과 파운드리사업부에서 제품 개발을 책임지는 ‘기술 총책임자’가 교체된 게 특징으로 꼽힌다.
파운드리사업부의 최고기술책임자(CTO)는 정기태 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)이 맡는다. 정 CTO는 ‘삼성 파운드리 포럼’ 등 삼성전자 파운드리사업부의 고객사 대상 주요 행사에서 기술 로드맵 설명을 도맡을 정도로 설비·공정 등에 폭넓은 지식을 갖고 있다. 정 CTO의 이동으로 공석이 된 파운드리 기술개발실장엔 구자흠 부사장이 낙점됐다.
삼성전자의 주력 제품인 D램 개발을 책임지는 D램개발실장은 황상준 메모리사업부 전략마케팅실 부사장으로 정해졌다. 선행개발팀장은 유창식 부사장, 설계팀장은 오태영 부사장, 전략마케팅실 마케팅팀장은 윤하룡 상무가 맡는다.DS 부문은 지난해에 이어 올해도 정기인사 시즌이 아닌 6~7월에 부사장급 임원 인사를 단행했다. 반도체업계에선 “파운드리에선 TSMC 추격에 속도를 내고, 메모리반도체에선 경쟁사들과의 기술 격차를 다시 벌리겠다”는 삼성전자 최고위 경영진의 의지가 반영됐다는 분석이 나온다.
최근 메모리반도체 시장에선 HBM, DDR5 등 신제품과 관련해 ‘삼성전자와 SK하이닉스의 기술력 격차가 사라졌다’는 평가가 나온다. 파운드리에선 TSMC와의 점유율 격차가 점점 벌어지면서 ‘분위기 반전의 계기가 필요하다’는 목소리가 높다.
황정수 기자 hjs@hankyung.com
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