中 SMEE, 28나노 노광장비 개발

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중국 반도체 장비제조사 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)가 자체 기술로 28㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 노광장비를 개발했다고 발표했다.

31일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 SMEE 후원사인 상하이창장그룹은 지난주 소셜미디어 위챗을 통해 “포토리소그래피 기술을 보유한 유일한 국내 기업으로서 SMEE가 28㎚ 노광장비를 성공적으로 개발했다”고 밝혔다. 다만 이 게시글은 곧바로 삭제됐다. SCMP는 SMEE의 28㎚ 노광장비 개발에 대한 첫 공식 확인이지만 중국 매체들의 관련 보도가 검열됐다고 전했다.

SMEE의 28㎚ 노광장비 개발은 미국이 네덜란드 일본 등과 함께 중국에 반도체 제조장비 수출을 통제하는 상황에서 장비 자급의 숨통을 틔운 계기로 평가된다. 노광장비는 빛을 반도체 원재료인 웨이퍼에 비춰 미세회로를 새길 때 사용하는 장비다. 네덜란드 ASML이 첨단 노광장비를 사실상 독점하고 있는데, 네덜란드 정부가 미국의 대중국 수출통제에 가담하면서 중국은 ASML 장비를 구매할 수 없게 됐다.

SCMP는 SMEE의 28㎚ 노광장비 개발을 두고 “ASML의 EUV 노광장비에는 한참 뒤처져 있지만 중국이 반도체 성숙 공정(구세대 반도체 공정)에 집중하는 가운데 중요한 성과를 냈다”고 평가했다.

28㎚ 반도체는 ‘레거시 칩’으로 불리는 구세대 반도체다. ASML의 최첨단 EUV 노광장비로 제작할 수 있는 7㎚ 반도체에 비해 성능이 떨어진다. 현재 자동차에 들어가는 반도체 대부분이 28㎚ 반도체를 사용한다. 미 상무부는 지난 21일 기존 대중 반도체 수출통제에 포함되지 않던 28㎚ 이상 구세대 반도체까지 수출 통제 대상으로 확대한다고 발표했다.

김인엽 기자 inside@hankyung.com