'반도체 기술 중국 유출' 혐의 전 삼성전자 연구원 영장 기각

국내 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원에 대한 구속영장이 기각됐다.

16일 이민수 서울중앙지법 영장전담 부장판사는 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등) 혐의를 받는 50대 남성 A씨에 대해 "범행에 대해 사실·법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지의 수사 진행 상황 등에 비춰볼 때 방어권을 보장해줄 필요가 있다"며 구속영장을 기각했다.

이 부장판사는 "피의자가 별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사기관의 수사·소환에 성실히 응해왔다"며 "관련 증거들도 상당수 확보돼 피의자의 심문 태도 등을 감안할 때 현 단계에서 구속의 필요성과 상당성이 인정된다고 보기 어렵다"고 덧붙였다.

A씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개 등을 무단 유출해 중국 기업 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다.

이날 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에서 경찰은 A씨로부터 압수한 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출했다. 경찰은 지난해 청두가오전 임원인 A씨의 집을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견했다.

A씨 측은 "기억에 의존해 작성한 초안"이라며 혐의를 전면 부인한 것으로 알려졌다.

한편 청두가오전은 삼성전자 상무 등을 지낸 60대 남성 B씨가 2020년 중국 정부로부터 4600억원을 투자받아 쓰촨성 청두시에 설립한 합작회사다.

민경진 기자 min@hankyung.com