삼성전자가 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell: 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀(전자가 이동하는 구멍)을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 용량을 키울 뿐 아니라 생산성까지 높인 게 핵심이다.
삼성전자는 업계 최초로 9세대 V낸드 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 업계 최소 크기 셀과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(단위 면적당 저장되는 비트의 수)가 이전 세대 대비 약 1.5배 증가했다.
이번 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품. 더블 스택이란 쌓아 올린 셀에 채널 홀을 두 번 뚫는 것으로, 삼성전자는 정교하고 고도화된 ‘채널 홀 에칭 기술’을 적용해 최대 적층 단수를 한 번에 뚫는 공정 혁신으로 생산효율을 끌어올렸다.
회사 측은 “셀의 평면적을 줄이고 셀 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다”고 설명했다.
이번 9세대 V낸드는 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 아울러 저전력 설계 기술을 적용해 이전 세대 대비 소비 전력도 약 10% 개선됐다.
대만 시장조사업체 트렌드포스는 올해 낸드 시장이 전년 대비 63.2% 성장한 620억4000만달러(약 85조 5100억원) 규모가 될 것으로 전망한 바 있다. 인공지능(AI) 열풍으로 낸드 수요가 증가하면서 평균 판매단가도 상승세라 실적 호조가 예상된다.
삼성전자 메모리사업부 허성회 플래시개발실장(부사장)은 “낸드 제품 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객 니즈가 높아지고 있다. 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”면서 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 시장을 선도해나갈 것”이라고 말했다.
삼성전자는 하반기엔 ‘QLC(Quad Level Cell: 하나의 셀에 4비트 데이터를 기록할 수 있는 구조) 9세대 V낸드’도 양산할 예정이다.
김봉구 한경닷컴 기자 kbk9@hankyung.com
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